大应变In0.3Ga0.7As/GaAs量子阱激光器的生长和研究
대응변In0.3Ga0.7As/GaAs양자정격광기적생장화연구
Growth and Study of High Strain In0.3Ga0.7As/GaAs Quantum Well Laser Diode Device
  • 万方数据
    量子电子学报 양자전자학보
    CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
    2003年 6期 707-710 ,共4页

    任忠祥

    임충상

    应变量子阱激光器%MOCVD%生长中断%应变缓冲层 應變量子阱激光器%MOCVD%生長中斷%應變緩遲層
    응변양자정격광기%MOCVD%생장중단%응변완충층
    金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激光器有很低的阈值电流密度(43 A/cm2)和较高的斜率效率(0.34W/A,per facet).
    금속유궤물화학기상침적(MOCVD)방법생장응변InGaAs/GaAs양자정,응변완충층결합생장중단개선양자정적PL보특성.용해양자정제비적격광기유흔저적역치전류밀도(43 A/cm2)화교고적사솔효솔(0.34W/A,per facet).
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문