InGaAs红外探测器低频噪声研究
InGaAs홍외탐측기저빈조성연구
Study on low frequency noise of InGaAs infrared detectors
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2004年 z1期 3397-3399 ,共3页

    黄杨程%梁晋穗%张永刚%刘大福%庄春泉%李萍%龚海梅

    황양정%량진수%장영강%류대복%장춘천%리평%공해매

    红外探测器%低频噪声%空间遥感 紅外探測器%低頻譟聲%空間遙感
    홍외탐측기%저빈조성%공간요감
    红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一.本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数αH=2×10-5～7×10-5,噪声拐点较大.讨论了暗电流与器件低频噪声的关系,比较了不同钝化工艺研制的器件的低频噪声,结果表明通过加强表面钝化工艺可有效地降低器件的低频噪声.
    홍외탐측기적저빈조성시제약기건능부응용우공간요감적관건인소지일.본문측시료전형적인가신(InGaAs)홍외탐측기적저빈조성,측시결과표명기건적Hooge계수αH=2×10-5～7×10-5,조성괴점교대.토론료암전류여기건저빈조성적관계,비교료불동둔화공예연제적기건적저빈조성,결과표명통과가강표면둔화공예가유효지강저기건적저빈조성.
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