辐射研究与辐射工艺学报
輻射研究與輻射工藝學報
복사연구여복사공예학보
JOURNAL OF RADIATION RESEARCH AND RADIATION PROCESSING
2007年
6期
345-349
,共5页
吴新锋%李红斌%郝旭峰%周菲%邓邦俊%费舜廷%周瑞敏
吳新鋒%李紅斌%郝旭峰%週菲%鄧邦俊%費舜廷%週瑞敏
오신봉%리홍빈%학욱봉%주비%산방준%비순정%주서민
电子束辐照%聚酰亚胺%腐蚀%分离膜%蚀刻
電子束輻照%聚酰亞胺%腐蝕%分離膜%蝕刻
전자속복조%취선아알%부식%분리막%식각
以电子束蚀刻技术,结合微孔掩膜和溶液氧化腐蚀的方法,制备聚酰亚胺(Polyimide,PI)微孔分离膜.通过称重法,讨论了吸收剂量、腐蚀时间和腐蚀温度等因素对PI基膜蚀刻和腐蚀的影响,结果表明,随着吸收剂量、腐蚀温度和腐蚀时间的增加,PI基膜更容易被腐蚀;IR检测结果表明,辐照导致PI分子化学键断裂,分子量变小,是辐照PI腐蚀失重率增加的原因;试验对微孔铅和铁掩膜遮蔽的PI基膜进行电子辐照,再用浓硫酸和重铬酸钾混合溶液腐蚀辐照PI基膜,得到具有规则且垂直孔道的聚酰亚胺微孔分离膜.
以電子束蝕刻技術,結閤微孔掩膜和溶液氧化腐蝕的方法,製備聚酰亞胺(Polyimide,PI)微孔分離膜.通過稱重法,討論瞭吸收劑量、腐蝕時間和腐蝕溫度等因素對PI基膜蝕刻和腐蝕的影響,結果錶明,隨著吸收劑量、腐蝕溫度和腐蝕時間的增加,PI基膜更容易被腐蝕;IR檢測結果錶明,輻照導緻PI分子化學鍵斷裂,分子量變小,是輻照PI腐蝕失重率增加的原因;試驗對微孔鉛和鐵掩膜遮蔽的PI基膜進行電子輻照,再用濃硫痠和重鉻痠鉀混閤溶液腐蝕輻照PI基膜,得到具有規則且垂直孔道的聚酰亞胺微孔分離膜.
이전자속식각기술,결합미공엄막화용액양화부식적방법,제비취선아알(Polyimide,PI)미공분리막.통과칭중법,토론료흡수제량、부식시간화부식온도등인소대PI기막식각화부식적영향,결과표명,수착흡수제량、부식온도화부식시간적증가,PI기막경용역피부식;IR검측결과표명,복조도치PI분자화학건단렬,분자량변소,시복조PI부식실중솔증가적원인;시험대미공연화철엄막차폐적PI기막진행전자복조,재용농류산화중락산갑혼합용액부식복조PI기막,득도구유규칙차수직공도적취선아알미공분리막.
