半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2008年
2期
212-216
,共5页
袁兆林%祖小涛%薛书文%邓宏%毛飞燕%向霞
袁兆林%祖小濤%薛書文%鄧宏%毛飛燕%嚮霞
원조림%조소도%설서문%산굉%모비연%향하
溶胶-凝胶法%离子注入%退火%光致发光%电阻率
溶膠-凝膠法%離子註入%退火%光緻髮光%電阻率
용효-응효법%리자주입%퇴화%광치발광%전조솔
利用溶胶-凝胶法在(0001)Al2O3衬底上制备了Al/Zn原子比为1%的ZnO:Al薄膜,将能量56keV、剂量1×1017ions/cm2的N离子注入到薄膜中.离子注入后,样品在500～900℃氮气气氛中退火,利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、透射谱和四探针研究了退火温度对薄膜性能的影响.结果显示,在800℃以下退火,随退火温度提高,薄膜结晶性能逐渐变好;在600℃以上退火,随退火温度提高,紫外近带边发光峰(NBE)和缺陷相关的深能级可见光发光带都逐渐增强;600℃退火时,样品的电阻率仅为83Ω·cm.
利用溶膠-凝膠法在(0001)Al2O3襯底上製備瞭Al/Zn原子比為1%的ZnO:Al薄膜,將能量56keV、劑量1×1017ions/cm2的N離子註入到薄膜中.離子註入後,樣品在500～900℃氮氣氣氛中退火,利用X射線衍射(XRD)、光緻髮光(PL)、透射譜和四探針研究瞭退火溫度對薄膜性能的影響.結果顯示,在800℃以下退火,隨退火溫度提高,薄膜結晶性能逐漸變好;在600℃以上退火,隨退火溫度提高,紫外近帶邊髮光峰(NBE)和缺陷相關的深能級可見光髮光帶都逐漸增彊;600℃退火時,樣品的電阻率僅為83Ω·cm.
이용용효-응효법재(0001)Al2O3츤저상제비료Al/Zn원자비위1%적ZnO:Al박막,장능량56keV、제량1×1017ions/cm2적N리자주입도박막중.리자주입후,양품재500～900℃담기기분중퇴화,이용X사선연사(XRD)、광치발광(PL)、투사보화사탐침연구료퇴화온도대박막성능적영향.결과현시,재800℃이하퇴화,수퇴화온도제고,박막결정성능축점변호;재600℃이상퇴화,수퇴화온도제고,자외근대변발광봉(NBE)화결함상관적심능급가견광발광대도축점증강;600℃퇴화시,양품적전조솔부위83Ω·cm.
