材料研究学报
材料研究學報
재료연구학보
CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
2008年
3期
297-302
,共6页
张晋敏%谢泉%梁艳%曾武贤
張晉敏%謝泉%樑豔%曾武賢
장진민%사천%량염%증무현
无机非金属材料%半导体材料%原子扩散%卢瑟福背散射%Fe-Si化合物
無機非金屬材料%半導體材料%原子擴散%盧瑟福揹散射%Fe-Si化閤物
무궤비금속재료%반도체재료%원자확산%로슬복배산사%Fe-Si화합물
用磁控溅射方法制备Fe/Si薄膜,采用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了退火过程中的相变过程和氧化.结果表明:未退火的Fe/Si薄膜界面清晰,873K退火后,界面附近Fe、si原子开始相互扩散,973K退火后富金属相Fe1+xSi形成,而1073K退火后形成中间相FeSi,当温度增加至1273K后所有硅化物完全转变为富硅相FeSi2,即随退火温度的升高,Fe、Si原子间扩散增强,从而形成不同化学计量比的Fe-Si化合物,且薄膜中易迁移原子种类由Fe变为Si.同时,质子束RBS和XRD测量结果显示,在未退火及低温退火的样品中,薄膜有氧化现象,随退火温度增加,由于高温下金属氧化物被还原并逐渐挥发,样品中氧的含量逐渐减少最后完全消失.
用磁控濺射方法製備Fe/Si薄膜,採用盧瑟福揹散射(RBS)技術研究瞭退火過程中的相變過程和氧化.結果錶明:未退火的Fe/Si薄膜界麵清晰,873K退火後,界麵附近Fe、si原子開始相互擴散,973K退火後富金屬相Fe1+xSi形成,而1073K退火後形成中間相FeSi,噹溫度增加至1273K後所有硅化物完全轉變為富硅相FeSi2,即隨退火溫度的升高,Fe、Si原子間擴散增彊,從而形成不同化學計量比的Fe-Si化閤物,且薄膜中易遷移原子種類由Fe變為Si.同時,質子束RBS和XRD測量結果顯示,在未退火及低溫退火的樣品中,薄膜有氧化現象,隨退火溫度增加,由于高溫下金屬氧化物被還原併逐漸揮髮,樣品中氧的含量逐漸減少最後完全消失.
용자공천사방법제비Fe/Si박막,채용로슬복배산사(RBS)기술연구료퇴화과정중적상변과정화양화.결과표명:미퇴화적Fe/Si박막계면청석,873K퇴화후,계면부근Fe、si원자개시상호확산,973K퇴화후부금속상Fe1+xSi형성,이1073K퇴화후형성중간상FeSi,당온도증가지1273K후소유규화물완전전변위부규상FeSi2,즉수퇴화온도적승고,Fe、Si원자간확산증강,종이형성불동화학계량비적Fe-Si화합물,차박막중역천이원자충류유Fe변위Si.동시,질자속RBS화XRD측량결과현시,재미퇴화급저온퇴화적양품중,박막유양화현상,수퇴화온도증가,유우고온하금속양화물피환원병축점휘발,양품중양적함량축점감소최후완전소실.
