固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2009年
2期
179-182,248
,共5页
施煜%刘晗%董琳%孙清清%丁士进%叶培德%张卫
施煜%劉晗%董琳%孫清清%丁士進%葉培德%張衛
시욱%류함%동림%손청청%정사진%협배덕%장위
铪铝氧介质%原子层淀积%淀积后退火%电容-电压特性
鉿鋁氧介質%原子層澱積%澱積後退火%電容-電壓特性
협려양개질%원자층정적%정적후퇴화%전용-전압특성
采用原子层淀积(ALD)的方法在Si(100)衬底上制备了铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质,并研究了N2和NH3退火对于介质薄膜的影响.改变原子层淀积的工艺,制备了三组含有不同Al:Hf原子比的铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质.电容电压特性(C-V)测试表明,薄膜的积累电容密度随着薄膜中Al:Hf原子比的减少而增加.实验表明,用N2和NH3对样品进行淀积后退火,可以减小等效电容厚度(CET)、降低固定正电荷密度以及减小滞回电压,从而有效地提高了介质薄膜的电学特性.
採用原子層澱積(ALD)的方法在Si(100)襯底上製備瞭鉿鋁氧(HfAlO)高介電常數介質,併研究瞭N2和NH3退火對于介質薄膜的影響.改變原子層澱積的工藝,製備瞭三組含有不同Al:Hf原子比的鉿鋁氧(HfAlO)高介電常數介質.電容電壓特性(C-V)測試錶明,薄膜的積纍電容密度隨著薄膜中Al:Hf原子比的減少而增加.實驗錶明,用N2和NH3對樣品進行澱積後退火,可以減小等效電容厚度(CET)、降低固定正電荷密度以及減小滯迴電壓,從而有效地提高瞭介質薄膜的電學特性.
채용원자층정적(ALD)적방법재Si(100)츤저상제비료협려양(HfAlO)고개전상수개질,병연구료N2화NH3퇴화대우개질박막적영향.개변원자층정적적공예,제비료삼조함유불동Al:Hf원자비적협려양(HfAlO)고개전상수개질.전용전압특성(C-V)측시표명,박막적적루전용밀도수착박막중Al:Hf원자비적감소이증가.실험표명,용N2화NH3대양품진행정적후퇴화,가이감소등효전용후도(CET)、강저고정정전하밀도이급감소체회전압,종이유효지제고료개질박막적전학특성.
