电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2009年
9期
5-7
,共3页
唐有青%谭卫东%马利行%杨帆%张文清
唐有青%譚衛東%馬利行%楊帆%張文清
당유청%담위동%마리행%양범%장문청
FTIR%硅外延片%中间层%电阻率%厚度
FTIR%硅外延片%中間層%電阻率%厚度
FTIR%규외연편%중간층%전조솔%후도
硅外延是一种性能优良的半导体材料,在IGBT、大功率器件等领域中有着广泛的应用.FTIR(Fourier-Transform Infrared Spectrophotometry)技术是目前普遍采用的测量硅外延层厚度的先进方法,具有准确、快速、稳定、无损伤等其他方法无可比拟的优势.FTIR方法对于常规的低掺杂双层外延结构,只能测出两层外延的总厚度,而不能测出两个外延层分别的厚度.文章通过试验数据,证明了FTIR测试方法能够同时测量双层外延层结构的硅外延片的两层厚度,并提出了对中间层外延的电阻率的要求,同时对ASTM-F95标准中提出的FTIR法测量硅外延层厚度时对外延层和衬底层电阻率的要求,提出了新的范围.
硅外延是一種性能優良的半導體材料,在IGBT、大功率器件等領域中有著廣汎的應用.FTIR(Fourier-Transform Infrared Spectrophotometry)技術是目前普遍採用的測量硅外延層厚度的先進方法,具有準確、快速、穩定、無損傷等其他方法無可比擬的優勢.FTIR方法對于常規的低摻雜雙層外延結構,隻能測齣兩層外延的總厚度,而不能測齣兩箇外延層分彆的厚度.文章通過試驗數據,證明瞭FTIR測試方法能夠同時測量雙層外延層結構的硅外延片的兩層厚度,併提齣瞭對中間層外延的電阻率的要求,同時對ASTM-F95標準中提齣的FTIR法測量硅外延層厚度時對外延層和襯底層電阻率的要求,提齣瞭新的範圍.
규외연시일충성능우량적반도체재료,재IGBT、대공솔기건등영역중유착엄범적응용.FTIR(Fourier-Transform Infrared Spectrophotometry)기술시목전보편채용적측량규외연층후도적선진방법,구유준학、쾌속、은정、무손상등기타방법무가비의적우세.FTIR방법대우상규적저참잡쌍층외연결구,지능측출량층외연적총후도,이불능측출량개외연층분별적후도.문장통과시험수거,증명료FTIR측시방법능구동시측량쌍층외연층결구적규외연편적량층후도,병제출료대중간층외연적전조솔적요구,동시대ASTM-F95표준중제출적FTIR법측량규외연층후도시대외연층화츤저층전조솔적요구,제출료신적범위.
