电子显微学报
電子顯微學報
전자현미학보
JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY
2010年
4期
322-327
,共6页
吉元%王丽%张隐奇%卫斌%索红莉%王建宏%程艳玲
吉元%王麗%張隱奇%衛斌%索紅莉%王建宏%程豔玲
길원%왕려%장은기%위빈%색홍리%왕건굉%정염령
电子背散射衍射(EBSD)%晶体取向错配%外延层%La2Zr2O7%GaN
電子揹散射衍射(EBSD)%晶體取嚮錯配%外延層%La2Zr2O7%GaN
전자배산사연사(EBSD)%정체취향착배%외연층%La2Zr2O7%GaN
本文采用电子背散射衍射(EBSD),测量纳米异质外延层的织构,及外延层与衬底的晶体取向匹配.测试的材料包括作为YBCO超导膜的过渡层、生长在强立方织构Ni-5at.%W(Ni-W)衬底上的La2Zr2O7(LZO)外延层,及LED器件中生长在蓝宝石衬底上的GaN过渡层和外延层.EBSD测量出LZO外延层具有旋转立方织构,显示出LZO与Ni-W衬底的面内取向(转动45°)及面外取向(沿[001]方向)的匹配关系.EBSD测量出GaN过渡层与蓝宝石衬底的面内取向(转动30°)的匹配关系,显示出由GaN过渡层的晶格畸变而引入的平行于外延生长方向的弹性应变梯度(约500 nm).
本文採用電子揹散射衍射(EBSD),測量納米異質外延層的織構,及外延層與襯底的晶體取嚮匹配.測試的材料包括作為YBCO超導膜的過渡層、生長在彊立方織構Ni-5at.%W(Ni-W)襯底上的La2Zr2O7(LZO)外延層,及LED器件中生長在藍寶石襯底上的GaN過渡層和外延層.EBSD測量齣LZO外延層具有鏇轉立方織構,顯示齣LZO與Ni-W襯底的麵內取嚮(轉動45°)及麵外取嚮(沿[001]方嚮)的匹配關繫.EBSD測量齣GaN過渡層與藍寶石襯底的麵內取嚮(轉動30°)的匹配關繫,顯示齣由GaN過渡層的晶格畸變而引入的平行于外延生長方嚮的彈性應變梯度(約500 nm).
본문채용전자배산사연사(EBSD),측량납미이질외연층적직구,급외연층여츤저적정체취향필배.측시적재료포괄작위YBCO초도막적과도층、생장재강립방직구Ni-5at.%W(Ni-W)츤저상적La2Zr2O7(LZO)외연층,급LED기건중생장재람보석츤저상적GaN과도층화외연층.EBSD측량출LZO외연층구유선전립방직구,현시출LZO여Ni-W츤저적면내취향(전동45°)급면외취향(연[001]방향)적필배관계.EBSD측량출GaN과도층여람보석츤저적면내취향(전동30°)적필배관계,현시출유GaN과도층적정격기변이인입적평행우외연생장방향적탄성응변제도(약500 nm).
