半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
7期
626-629
,共4页
刘杰%汪明刚%杨威风%李超波%夏洋
劉傑%汪明剛%楊威風%李超波%夏洋
류걸%왕명강%양위풍%리초파%하양
等离子体浸没离子注入%超浅结%感应耦合%线圈结构%脉冲偏压电源
等離子體浸沒離子註入%超淺結%感應耦閤%線圈結構%脈遲偏壓電源
등리자체침몰리자주입%초천결%감응우합%선권결구%맥충편압전원
基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法--等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核心部件的设计,自行设计并搭建了等离子体浸没离子注入系统.采用ESPion高级朗缪尔探针测试和计算流体力学模拟方法对比研究了等离子体的特性,结果显示,在一定功率范围内等离子体密度随放电功率增加类似线性地增加;采用二次离子质谱仪对B和P的注入样片进行深度剖析,给出了偏压为-500V时B和P的注入深度分布曲线,表明注入时间既影响注入剂量,又影响峰值的位置和注入深度.
基于傳統束線離子註入在製造器件源漏超淺結時麵臨的挑戰,介紹瞭一種新的超淺結的製造方法--等離子體浸沒離子註入技術,總結瞭該技術在製造超淺結時的優點,闡述瞭放電方式、線圈結構、偏壓電源等繫統覈心部件的設計,自行設計併搭建瞭等離子體浸沒離子註入繫統.採用ESPion高級朗繆爾探針測試和計算流體力學模擬方法對比研究瞭等離子體的特性,結果顯示,在一定功率範圍內等離子體密度隨放電功率增加類似線性地增加;採用二次離子質譜儀對B和P的註入樣片進行深度剖析,給齣瞭偏壓為-500V時B和P的註入深度分佈麯線,錶明註入時間既影響註入劑量,又影響峰值的位置和註入深度.
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