半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
9期
689-692
,共4页
贾素梅%杨瑞霞%刘英坤%邓建国%辛启明
賈素梅%楊瑞霞%劉英坤%鄧建國%辛啟明
가소매%양서하%류영곤%산건국%신계명
SiGe/Si%异质结晶体管%台面结构%干法刻蚀%自中止腐蚀%腐蚀条件
SiGe/Si%異質結晶體管%檯麵結構%榦法刻蝕%自中止腐蝕%腐蝕條件
SiGe/Si%이질결정체관%태면결구%간법각식%자중지부식%부식조건
台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键.由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自中止湿法腐蚀成为台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中的优选工艺.分析了SiGe自中止腐蚀的反应机理,对腐蚀条件包括掩蔽膜的选取,温度、超声等因素对腐蚀速率及均匀性的影响进行摸索,取得了较好结果,最终采用该技术完成了SiGe/Si npn型异质结晶体管的制作,测得其电流增益β＞80,对采用台面结构制造SiGe/Si HBT具有一定参考价值.
檯麵結構SiGe/Si異質結晶體管製作過程中,髮射區檯麵形成尤為關鍵.由于榦法刻蝕速率難以精確控製,且易損傷SiGe外基區錶麵,SiGe自中止濕法腐蝕成為檯麵結構SiGe/Si異質結晶體管製作過程中的優選工藝.分析瞭SiGe自中止腐蝕的反應機理,對腐蝕條件包括掩蔽膜的選取,溫度、超聲等因素對腐蝕速率及均勻性的影響進行摸索,取得瞭較好結果,最終採用該技術完成瞭SiGe/Si npn型異質結晶體管的製作,測得其電流增益β＞80,對採用檯麵結構製造SiGe/Si HBT具有一定參攷價值.
태면결구SiGe/Si이질결정체관제작과정중,발사구태면형성우위관건.유우간법각식속솔난이정학공제,차역손상SiGe외기구표면,SiGe자중지습법부식성위태면결구SiGe/Si이질결정체관제작과정중적우선공예.분석료SiGe자중지부식적반응궤리,대부식조건포괄엄폐막적선취,온도、초성등인소대부식속솔급균균성적영향진행모색,취득료교호결과,최종채용해기술완성료SiGe/Si npn형이질결정체관적제작,측득기전류증익β＞80,대채용태면결구제조SiGe/Si HBT구유일정삼고개치.
