材料研究学报
材料研究學報
재료연구학보
CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
2006年
2期
120-124
,共5页
罗浩俊%胡成余%姚淑德%秦志新
囉浩俊%鬍成餘%姚淑德%秦誌新
라호준%호성여%요숙덕%진지신
无机非金属材料%p-GaN%离子注入%拉曼散射
無機非金屬材料%p-GaN%離子註入%拉曼散射
무궤비금속재료%p-GaN%리자주입%랍만산사
在用MOCVD方法生长的p-GaN薄膜中注入Mg离子,然后在N2气氛下在850～1150℃之间快速退火,研究了Mg+离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质.结果表明,离子注入使GaN晶体沿着a轴和c轴方向同时膨胀.在离子注入后的p-GaN薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300 cm-1和360 cm-1两个新峰,其强度随着退火温度而变化.这两个新峰分别对应于布里渊区边界的最高声学声子支的振动模式和局域振动模式.消除这两个损伤引起的峰的临界温度是不同的.注入剂量1×1014cm-2是一个临界值,对于注入剂量高于这个临界值的样品,高温退火不能使其晶体质量全部恢复.
在用MOCVD方法生長的p-GaN薄膜中註入Mg離子,然後在N2氣氛下在850～1150℃之間快速退火,研究瞭Mg+離子註入後樣品退火前後的結構、光學和電學性質.結果錶明,離子註入使GaN晶體沿著a軸和c軸方嚮同時膨脹.在離子註入後的p-GaN薄膜的拉曼散射譜中齣現波數為300 cm-1和360 cm-1兩箇新峰,其彊度隨著退火溫度而變化.這兩箇新峰分彆對應于佈裏淵區邊界的最高聲學聲子支的振動模式和跼域振動模式.消除這兩箇損傷引起的峰的臨界溫度是不同的.註入劑量1×1014cm-2是一箇臨界值,對于註入劑量高于這箇臨界值的樣品,高溫退火不能使其晶體質量全部恢複.
재용MOCVD방법생장적p-GaN박막중주입Mg리자,연후재N2기분하재850～1150℃지간쾌속퇴화,연구료Mg+리자주입후양품퇴화전후적결구、광학화전학성질.결과표명,리자주입사GaN정체연착a축화c축방향동시팽창.재리자주입후적p-GaN박막적랍만산사보중출현파수위300 cm-1화360 cm-1량개신봉,기강도수착퇴화온도이변화.저량개신봉분별대응우포리연구변계적최고성학성자지적진동모식화국역진동모식.소제저량개손상인기적봉적림계온도시불동적.주입제량1×1014cm-2시일개림계치,대우주입제량고우저개림계치적양품,고온퇴화불능사기정체질량전부회복.
