UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层
UHV/CVD법생장규기저위착밀도후타외연층
Growth of Thick Ge Epitaxial Layers with Low Dislocation Density on Silicon Substrate by UHV/CVD
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2008年 2期 315-318 ,共4页

    周志文%蔡志猛%张永%蔡坤煌%周笔%林桂江%汪建元%李成%赖虹凯%陈松岩%余金中%王启明

    주지문%채지맹%장영%채곤황%주필%림계강%왕건원%리성%뢰홍개%진송암%여금중%왕계명

    锗硅异质外延%弛豫缓冲层%锗 鍺硅異質外延%弛豫緩遲層%鍺
    타규이질외연%이예완충층%타
    采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2 H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530''和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.
    채용초고진공화학기상정적계통,이고순Si2 H6화GeH4작위생장기원,용저온완충층기술재Si(001)츤저상성공생장출후적순Ge외연층.대Si츤저상외연적순Ge층용반사식고능전자연사의、원자력현미경、X사선쌍정연사곡선화Ra-man보진행료표정.결과표명재Si기상생장적약550nm후적Ge외연층,표면조조도소우1nm,XRD쌍정연사곡선화Ra-man보Ge-Ge모반고관분별위530''화5.5cm-1,구유량호적결정질량.위착부식결과현시선위착밀도소우5×105cm-2가용우제비Si기장파장집성광전탐측기화Si기고속전자기건.
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