发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2008年
3期
561-566
,共6页
朱炳金%陈泽祥%张强%王小菊%于涛
硃炳金%陳澤祥%張彊%王小菊%于濤
주병금%진택상%장강%왕소국%우도
六硼化镧%硅尖锥阵列%电子束蒸发%场致发射%阵列薄膜
六硼化鑭%硅尖錐陣列%電子束蒸髮%場緻髮射%陣列薄膜
륙붕화란%규첨추진렬%전자속증발%장치발사%진렬박막
阵列薄膜是在制备好的尖锥阵列上沉积其他材料的薄膜,以提高场发射阴极性能,它是一种有效的提高场发射阴极性能的方法.在n型硅片上先后采用氧化、光刻、干法刻蚀、氧化削尖等工艺,制备出曲率半径很小的硅尖锥场发射阵列,硅阵列中每个硅尖锥的底半径约2 μm,锥高约1.04 μm,每个硅尖之间间隔6 μm,尖端的曲率半径约50 nm,锥角约56°,尖锥阵列的密度约106/cm2.为了降低硅尖锥的功函数及提高抗离子轰击能力,通过电子束蒸发在硅尖阵列上沉积六硼化镧(LaB6)薄膜,薄膜的厚度大约50 nm,锥尖曲率半径变为约111 nm.X射线衍射(XRD)分析结果表明,电子束沉积在硅尖端的LaB6具有良好的结晶特性.硅尖锥及不同的真空度下阵列薄膜的场致发射I-V特性及电流发射稳定性的测试结果表明:沉积LaB6的薄膜阴极阵列的总发射电流达到125 μA,是纯硅尖锥阵列125倍.并且硅阵列六硼化镧薄膜具有良好的场发射稳定性,是一种理想的薄膜场发射阵列.
陣列薄膜是在製備好的尖錐陣列上沉積其他材料的薄膜,以提高場髮射陰極性能,它是一種有效的提高場髮射陰極性能的方法.在n型硅片上先後採用氧化、光刻、榦法刻蝕、氧化削尖等工藝,製備齣麯率半徑很小的硅尖錐場髮射陣列,硅陣列中每箇硅尖錐的底半徑約2 μm,錐高約1.04 μm,每箇硅尖之間間隔6 μm,尖耑的麯率半徑約50 nm,錐角約56°,尖錐陣列的密度約106/cm2.為瞭降低硅尖錐的功函數及提高抗離子轟擊能力,通過電子束蒸髮在硅尖陣列上沉積六硼化鑭(LaB6)薄膜,薄膜的厚度大約50 nm,錐尖麯率半徑變為約111 nm.X射線衍射(XRD)分析結果錶明,電子束沉積在硅尖耑的LaB6具有良好的結晶特性.硅尖錐及不同的真空度下陣列薄膜的場緻髮射I-V特性及電流髮射穩定性的測試結果錶明:沉積LaB6的薄膜陰極陣列的總髮射電流達到125 μA,是純硅尖錐陣列125倍.併且硅陣列六硼化鑭薄膜具有良好的場髮射穩定性,是一種理想的薄膜場髮射陣列.
진렬박막시재제비호적첨추진렬상침적기타재료적박막,이제고장발사음겁성능,타시일충유효적제고장발사음겁성능적방법.재n형규편상선후채용양화、광각、간법각식、양화삭첨등공예,제비출곡솔반경흔소적규첨추장발사진렬,규진렬중매개규첨추적저반경약2 μm,추고약1.04 μm,매개규첨지간간격6 μm,첨단적곡솔반경약50 nm,추각약56°,첨추진렬적밀도약106/cm2.위료강저규첨추적공함수급제고항리자굉격능력,통과전자속증발재규첨진렬상침적륙붕화란(LaB6)박막,박막적후도대약50 nm,추첨곡솔반경변위약111 nm.X사선연사(XRD)분석결과표명,전자속침적재규첨단적LaB6구유량호적결정특성.규첨추급불동적진공도하진렬박막적장치발사I-V특성급전류발사은정성적측시결과표명:침적LaB6적박막음겁진렬적총발사전류체도125 μA,시순규첨추진렬125배.병차규진렬륙붕화란박막구유량호적장발사은정성,시일충이상적박막장발사진렬.
