CAJ | 학술논문

万方数据

半导体学报 반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年 8期 1433-1435 ,共3页

叶志镇%林时胜%何海平%顾修全%陈凌翔%吕建国%黄靖云%朱丽萍%汪雷%张银珠%李先杭

협지진%림시성%하해평%고수전%진릉상%려건국%황정운%주려평%왕뢰%장은주%리선항

LED%Na掺杂%p型Zn0%ZnO/ZnMgO多量子阱 LED%Na摻雜%p型Zn0%ZnO/ZnMgO多量子阱
LED%Na참잡%p형Zn0%ZnO/ZnMgO다양자정

在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.9多层量子阱结构作为有源层,Na作为P型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推进作用.
재규단정상,채용료배경우호적ZnO/Zn0.9Mg0.9다층양자정결구작위유원층,Na작위P형참잡원소,제비료ZnO발광이겁관(LED).해LED재실온전주입조건하,실현료교강적자람발광,차유효공제료결함발광.저항공작장위ZnO LED주향응용기도중요적추진작용.