电镀与涂饰
電鍍與塗飾
전도여도식
ELECTROPLATING & FINISHING
2011年
12期
26-28
,共3页
张林森%卢培浩%刘赟%宋延华%董会超
張林森%盧培浩%劉赟%宋延華%董會超
장림삼%로배호%류빈%송연화%동회초
碲化铋%半导体%化学镀镍%金属化%结合力
碲化鉍%半導體%化學鍍鎳%金屬化%結閤力
제화필%반도체%화학도얼%금속화%결합력
采用化学镀镍的方法在半导体Bi2Te3表面实现金属化.镀液配方为:NiSO4·6H2O 25 ～ 30 g/L,NaH2PO2·H2O 20 ～ 30 g/L,CH3COONa 5 g/L,C6H5Na3O7·2H2O 5 g/L.讨论了工艺参数对镀层性能的影响,通过骤冷试验检测镍镀层与半导体之间的结合力,运用扫描电镜结合X射线能谱仪(SEM-EDXA)及X射线衍射仪(XRD)对镀层的形貌、组成和结构进行了分析.结果表明,在80 ～ 85℃下反应10 min,所得到的镍镀层均匀致密,与半导体结合良好,其中Ni和P元素的质量分数分别为90.94％和9.06％.
採用化學鍍鎳的方法在半導體Bi2Te3錶麵實現金屬化.鍍液配方為:NiSO4·6H2O 25 ～ 30 g/L,NaH2PO2·H2O 20 ～ 30 g/L,CH3COONa 5 g/L,C6H5Na3O7·2H2O 5 g/L.討論瞭工藝參數對鍍層性能的影響,通過驟冷試驗檢測鎳鍍層與半導體之間的結閤力,運用掃描電鏡結閤X射線能譜儀(SEM-EDXA)及X射線衍射儀(XRD)對鍍層的形貌、組成和結構進行瞭分析.結果錶明,在80 ～ 85℃下反應10 min,所得到的鎳鍍層均勻緻密,與半導體結閤良好,其中Ni和P元素的質量分數分彆為90.94％和9.06％.
채용화학도얼적방법재반도체Bi2Te3표면실현금속화.도액배방위:NiSO4·6H2O 25 ～ 30 g/L,NaH2PO2·H2O 20 ～ 30 g/L,CH3COONa 5 g/L,C6H5Na3O7·2H2O 5 g/L.토론료공예삼수대도층성능적영향,통과취랭시험검측얼도층여반도체지간적결합력,운용소묘전경결합X사선능보의(SEM-EDXA)급X사선연사의(XRD)대도층적형모、조성화결구진행료분석.결과표명,재80 ～ 85℃하반응10 min,소득도적얼도층균균치밀,여반도체결합량호,기중Ni화P원소적질량분수분별위90.94％화9.06％.
