微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2012年
5期
323-327
,共5页
董拴成%苑伟政%马炳和%邓进军%郝日鹏
董拴成%苑偉政%馬炳和%鄧進軍%郝日鵬
동전성%원위정%마병화%산진군%학일붕
酰亚胺%等离子体刻蚀%柔性微结构%聚酰亚胺膜固定%微腔成型
酰亞胺%等離子體刻蝕%柔性微結構%聚酰亞胺膜固定%微腔成型
선아알%등리자체각식%유성미결구%취선아알막고정%미강성형
研究了RIE刻蚀聚酰亚胺的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度与不同加工工艺参数(包括射频功率、腔室压力、刻蚀气体成分等)之间的相互关系.刻蚀速率与射频功率、腔室压力都呈线性关系,与气体成分的关系是低SF6含量时呈线性,高SF6含量时出现饱和.刻蚀面的粗糙度几乎不受腔室压力的影响,而射频功率高于300 W和低SF6含量时粗糙度会急剧上升.采用腔室压力40 Pa、功率275 W、O2流量80 cm3/min、SF6流量20 cm3/min,通过RIE刻蚀获得了深度为39.5 μm的微腔结构,为形成柔性基底空腔以及上悬结构等提供了技术基础.此外,对柔性基底固定技术进行了研究,提出了一种有效固定聚酰亚胺膜的新工艺方法.
研究瞭RIE刻蝕聚酰亞胺的刻蝕速率、刻蝕錶麵粗糙度與不同加工工藝參數(包括射頻功率、腔室壓力、刻蝕氣體成分等)之間的相互關繫.刻蝕速率與射頻功率、腔室壓力都呈線性關繫,與氣體成分的關繫是低SF6含量時呈線性,高SF6含量時齣現飽和.刻蝕麵的粗糙度幾乎不受腔室壓力的影響,而射頻功率高于300 W和低SF6含量時粗糙度會急劇上升.採用腔室壓力40 Pa、功率275 W、O2流量80 cm3/min、SF6流量20 cm3/min,通過RIE刻蝕穫得瞭深度為39.5 μm的微腔結構,為形成柔性基底空腔以及上懸結構等提供瞭技術基礎.此外,對柔性基底固定技術進行瞭研究,提齣瞭一種有效固定聚酰亞胺膜的新工藝方法.
연구료RIE각식취선아알적각식속솔、각식표면조조도여불동가공공예삼수(포괄사빈공솔、강실압력、각식기체성분등)지간적상호관계.각식속솔여사빈공솔、강실압력도정선성관계,여기체성분적관계시저SF6함량시정선성,고SF6함량시출현포화.각식면적조조도궤호불수강실압력적영향,이사빈공솔고우300 W화저SF6함량시조조도회급극상승.채용강실압력40 Pa、공솔275 W、O2류량80 cm3/min、SF6류량20 cm3/min,통과RIE각식획득료심도위39.5 μm적미강결구,위형성유성기저공강이급상현결구등제공료기술기출.차외,대유성기저고정기술진행료연구,제출료일충유효고정취선아알막적신공예방법.
