红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2002年
5期
342-346
,共5页
GaN%离子注入%光致发光谱%黄光
GaN%離子註入%光緻髮光譜%黃光
GaN%리자주입%광치발광보%황광
对光致发光谱中无黄光和有强黄光的两组GaN样品作了Si离子注入,研究了Si离子注入及退火温度对其黄光的影响.当退火温度升高时,不管是哪一组样品,其黄光强度和黄光强度与带边发光带强度之比都是增强的.无黄光的GaN样品在注入Si离子并经退火后出现明显的黄光;而有强黄光的GaN样品经相同处理后,其黄光强度较原生样品大大降低.实验结果表明离子注入加上适当退火会在GaN中引入与黄光有关的深受主缺陷从而使黄光强度增加,此外,在离子注入过程中GaN表面不仅可以吸附离子注入引入的点缺陷,而且还能够吸附GaN中原有的与黄光有关的点缺陷,这种吸附作用随离子注入剂量增加而变强.
對光緻髮光譜中無黃光和有彊黃光的兩組GaN樣品作瞭Si離子註入,研究瞭Si離子註入及退火溫度對其黃光的影響.噹退火溫度升高時,不管是哪一組樣品,其黃光彊度和黃光彊度與帶邊髮光帶彊度之比都是增彊的.無黃光的GaN樣品在註入Si離子併經退火後齣現明顯的黃光;而有彊黃光的GaN樣品經相同處理後,其黃光彊度較原生樣品大大降低.實驗結果錶明離子註入加上適噹退火會在GaN中引入與黃光有關的深受主缺陷從而使黃光彊度增加,此外,在離子註入過程中GaN錶麵不僅可以吸附離子註入引入的點缺陷,而且還能夠吸附GaN中原有的與黃光有關的點缺陷,這種吸附作用隨離子註入劑量增加而變彊.
대광치발광보중무황광화유강황광적량조GaN양품작료Si리자주입,연구료Si리자주입급퇴화온도대기황광적영향.당퇴화온도승고시,불관시나일조양품,기황광강도화황광강도여대변발광대강도지비도시증강적.무황광적GaN양품재주입Si리자병경퇴화후출현명현적황광;이유강황광적GaN양품경상동처리후,기황광강도교원생양품대대강저.실험결과표명리자주입가상괄당퇴화회재GaN중인입여황광유관적심수주결함종이사황광강도증가,차외,재리자주입과정중GaN표면불부가이흡부리자주입인입적점결함,이차환능구흡부GaN중원유적여황광유관적점결함,저충흡부작용수리자주입제량증가이변강.
