半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
3期
498-501
,共4页
温战华%王立%方文卿%蒲勇%罗小平%郑畅达%戴江南%江风益
溫戰華%王立%方文卿%蒲勇%囉小平%鄭暢達%戴江南%江風益
온전화%왕립%방문경%포용%라소평%정창체%대강남%강풍익
金属有机物化学气相沉积%氧化锌%X射线双晶衍射%光致发光谱
金屬有機物化學氣相沉積%氧化鋅%X射線雙晶衍射%光緻髮光譜
금속유궤물화학기상침적%양화자%X사선쌍정연사%광치발광보
采用常压金属有机物化学气相淀积法在(0001)Al2O3衬底上生长出高质量ZnO单晶膜,在空气中进行了710～860℃不同温度的退火处理.用X射线双晶衍射、光致发光法研究了退火温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.ZnO(002)面X射线双晶ω扫描曲线的半高宽(FWHM) 随退火温度的升高变小,770℃后基本保持不变,ZnO(102)面双晶ω扫描曲线的FWHM一直变小.770℃退火后ZnO样品X射线ω-2θ扫描曲线中出现ZnO2(200)衍射峰.同时,光致发光测试表明,随着退火温度升高,带边发光强度减弱,与深能级有关的绿带发光出现并逐渐增强.通过ICP刻蚀,去除退火后样品的表面层,ω-2θ扫描曲线中ZnO2(200)衍射峰和PL谱中绿带发光均消失,表明ZnO2相和深能级缺陷在样品表面.
採用常壓金屬有機物化學氣相澱積法在(0001)Al2O3襯底上生長齣高質量ZnO單晶膜,在空氣中進行瞭710～860℃不同溫度的退火處理.用X射線雙晶衍射、光緻髮光法研究瞭退火溫度對ZnO薄膜的結構、髮光性能的影響.ZnO(002)麵X射線雙晶ω掃描麯線的半高寬(FWHM) 隨退火溫度的升高變小,770℃後基本保持不變,ZnO(102)麵雙晶ω掃描麯線的FWHM一直變小.770℃退火後ZnO樣品X射線ω-2θ掃描麯線中齣現ZnO2(200)衍射峰.同時,光緻髮光測試錶明,隨著退火溫度升高,帶邊髮光彊度減弱,與深能級有關的綠帶髮光齣現併逐漸增彊.通過ICP刻蝕,去除退火後樣品的錶麵層,ω-2θ掃描麯線中ZnO2(200)衍射峰和PL譜中綠帶髮光均消失,錶明ZnO2相和深能級缺陷在樣品錶麵.
채용상압금속유궤물화학기상정적법재(0001)Al2O3츤저상생장출고질량ZnO단정막,재공기중진행료710～860℃불동온도적퇴화처리.용X사선쌍정연사、광치발광법연구료퇴화온도대ZnO박막적결구、발광성능적영향.ZnO(002)면X사선쌍정ω소묘곡선적반고관(FWHM) 수퇴화온도적승고변소,770℃후기본보지불변,ZnO(102)면쌍정ω소묘곡선적FWHM일직변소.770℃퇴화후ZnO양품X사선ω-2θ소묘곡선중출현ZnO2(200)연사봉.동시,광치발광측시표명,수착퇴화온도승고,대변발광강도감약,여심능급유관적록대발광출현병축점증강.통과ICP각식,거제퇴화후양품적표면층,ω-2θ소묘곡선중ZnO2(200)연사봉화PL보중록대발광균소실,표명ZnO2상화심능급결함재양품표면.
