半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
z1期
20-23
,共4页
李传波%毛容伟%左玉华%成步文%余金中%王启明
李傳波%毛容偉%左玉華%成步文%餘金中%王啟明
리전파%모용위%좌옥화%성보문%여금중%왕계명
微腔%光致发光%Ge量子点%调制
微腔%光緻髮光%Ge量子點%調製
미강%광치발광%Ge양자점%조제
报道了微腔对Ge量子点常温光致发光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光致发光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光致发光才能透出腔体并被探测器搜集.模拟结果与实验结果吻合得很好,变功率实验也进一步证实了该结论.
報道瞭微腔對Ge量子點常溫光緻髮光的調製特性.生長在SOI硅片上的Ge量子點的常溫光緻髮光呈多峰分佈,隨波長增加,峰與峰之間的間隔增加.這種多峰結構與SOI硅片所形成的微腔有關,隻有滿足特定波長的光緻髮光纔能透齣腔體併被探測器搜集.模擬結果與實驗結果吻閤得很好,變功率實驗也進一步證實瞭該結論.
보도료미강대Ge양자점상온광치발광적조제특성.생장재SOI규편상적Ge양자점적상온광치발광정다봉분포,수파장증가,봉여봉지간적간격증가.저충다봉결구여SOI규편소형성적미강유관,지유만족특정파장적광치발광재능투출강체병피탐측기수집.모의결과여실험결과문합득흔호,변공솔실험야진일보증실료해결론.
