固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
1期
114-118,123
,共6页
周竹瑾%李宁%苏彦锋%任俊彦
週竹瑾%李寧%囌彥鋒%任俊彥
주죽근%리저%소언봉%임준언
低通滤波器%有源RC滤波器%Tow-Thomas结构%中频滤波器%双模滤波器
低通濾波器%有源RC濾波器%Tow-Thomas結構%中頻濾波器%雙模濾波器
저통려파기%유원RC려파기%Tow-Thomas결구%중빈려파기%쌍모려파기
采用SMIC 0.35μm CMOS混合信号工艺,实现了同时适用于GSM/WCDMA的四阶有源RC低通中频滤波器(LPF).该LPF具有高线性度,同时满足GSM和WCDMA的带宽性能,并且在两种模式下有元件最大的共享度.芯片面积大约1578 μm×515 μm.为了优化GSM模式下的功耗,运放的带宽做成可调.为了消除温度和工艺等外界因素的影响,采用电容阵列调节滤波器的转角频率以及频响曲线.同时,两种模式下的电容阵列做成部分共用的形式,减少了电阻的使用.测量得到的噪声系数在GSM和WCDMA模式下分别为56 dB以及43 dB.在WCDMA模式下,IIP3测量得到34 dBm,功耗为17.9 mW;在GSM模式下,功耗为11.3 mW.电源电压为3.3 V.
採用SMIC 0.35μm CMOS混閤信號工藝,實現瞭同時適用于GSM/WCDMA的四階有源RC低通中頻濾波器(LPF).該LPF具有高線性度,同時滿足GSM和WCDMA的帶寬性能,併且在兩種模式下有元件最大的共享度.芯片麵積大約1578 μm×515 μm.為瞭優化GSM模式下的功耗,運放的帶寬做成可調.為瞭消除溫度和工藝等外界因素的影響,採用電容陣列調節濾波器的轉角頻率以及頻響麯線.同時,兩種模式下的電容陣列做成部分共用的形式,減少瞭電阻的使用.測量得到的譟聲繫數在GSM和WCDMA模式下分彆為56 dB以及43 dB.在WCDMA模式下,IIP3測量得到34 dBm,功耗為17.9 mW;在GSM模式下,功耗為11.3 mW.電源電壓為3.3 V.
채용SMIC 0.35μm CMOS혼합신호공예,실현료동시괄용우GSM/WCDMA적사계유원RC저통중빈려파기(LPF).해LPF구유고선성도,동시만족GSM화WCDMA적대관성능,병차재량충모식하유원건최대적공향도.심편면적대약1578 μm×515 μm.위료우화GSM모식하적공모,운방적대관주성가조.위료소제온도화공예등외계인소적영향,채용전용진렬조절려파기적전각빈솔이급빈향곡선.동시,량충모식하적전용진렬주성부분공용적형식,감소료전조적사용.측량득도적조성계수재GSM화WCDMA모식하분별위56 dB이급43 dB.재WCDMA모식하,IIP3측량득도34 dBm,공모위17.9 mW;재GSM모식하,공모위11.3 mW.전원전압위3.3 V.
