光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2008年
4期
449-452
,共4页
郜峰利%郭树旭%曹军胜%张爽%于思瑶
郜峰利%郭樹旭%曹軍勝%張爽%于思瑤
고봉리%곽수욱%조군성%장상%우사요
半导体激光器%1/f噪声%g-r噪声%可靠性%动态电阻
半導體激光器%1/f譟聲%g-r譟聲%可靠性%動態電阻
반도체격광기%1/f조성%g-r조성%가고성%동태전조
测量了大功率InGaAsP/GaAs量子阱半导体激光器在五十分之一阈值电流下的电压低频噪声功率谱密度.实验结果显示,激光器的低频电噪声呈现1/f噪声,在不同的偏置电流范围内,1/f噪声幅度随电流的变化关系不同,整体上随偏置电流的增大而减小,实验中并未发现g-r噪声.结合低偏置电流时激光器动态电阻的大小,给出了1/f噪声的模型,分析了在低偏置电流下的1/f噪声主要来自有源区和漏电电阻,其幅度的大小及其随偏置电流的变化趋势与激光器的可靠性有密切的关系.
測量瞭大功率InGaAsP/GaAs量子阱半導體激光器在五十分之一閾值電流下的電壓低頻譟聲功率譜密度.實驗結果顯示,激光器的低頻電譟聲呈現1/f譟聲,在不同的偏置電流範圍內,1/f譟聲幅度隨電流的變化關繫不同,整體上隨偏置電流的增大而減小,實驗中併未髮現g-r譟聲.結閤低偏置電流時激光器動態電阻的大小,給齣瞭1/f譟聲的模型,分析瞭在低偏置電流下的1/f譟聲主要來自有源區和漏電電阻,其幅度的大小及其隨偏置電流的變化趨勢與激光器的可靠性有密切的關繫.
측량료대공솔InGaAsP/GaAs양자정반도체격광기재오십분지일역치전류하적전압저빈조성공솔보밀도.실험결과현시,격광기적저빈전조성정현1/f조성,재불동적편치전류범위내,1/f조성폭도수전류적변화관계불동,정체상수편치전류적증대이감소,실험중병미발현g-r조성.결합저편치전류시격광기동태전조적대소,급출료1/f조성적모형,분석료재저편치전류하적1/f조성주요래자유원구화루전전조,기폭도적대소급기수편치전류적변화추세여격광기적가고성유밀절적관계.
