微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
5期
255-259
,共5页
单电子晶体管%库仑阻塞振荡%双栅极%神经元%分段线性输出函数
單電子晶體管%庫崙阻塞振盪%雙柵極%神經元%分段線性輸齣函數
단전자정체관%고륜조새진탕%쌍책겁%신경원%분단선성수출함수
提出了一种结构简单的神经元分段线性输出函数SETMOS实现方式.理论分析了恒流源偏置下单电子晶体管(SET)器件的特性和神经元分段线性输出函数.利用SET和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)混合结构实现了分段线性输出函数电路,并通过仿真分析得到了分段线性特性,提出了具体相应的调节方法,验证了该混合结构功能的正确性.结果表明,该混合电路具有结构简单,nm级特征尺寸,分段线性度好,静态功耗极低,约200 nW,驱动负载工作能力强,输出电压可达几百毫伏,易于大规模神经网络电路的实现及应用和集成度的进一步提高.
提齣瞭一種結構簡單的神經元分段線性輸齣函數SETMOS實現方式.理論分析瞭恆流源偏置下單電子晶體管(SET)器件的特性和神經元分段線性輸齣函數.利用SET和金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)混閤結構實現瞭分段線性輸齣函數電路,併通過倣真分析得到瞭分段線性特性,提齣瞭具體相應的調節方法,驗證瞭該混閤結構功能的正確性.結果錶明,該混閤電路具有結構簡單,nm級特徵呎吋,分段線性度好,靜態功耗極低,約200 nW,驅動負載工作能力彊,輸齣電壓可達幾百毫伏,易于大規模神經網絡電路的實現及應用和集成度的進一步提高.
제출료일충결구간단적신경원분단선성수출함수SETMOS실현방식.이론분석료항류원편치하단전자정체관(SET)기건적특성화신경원분단선성수출함수.이용SET화금속양화물장효응정체관(MOSFET)혼합결구실현료분단선성수출함수전로,병통과방진분석득도료분단선성특성,제출료구체상응적조절방법,험증료해혼합결구공능적정학성.결과표명,해혼합전로구유결구간단,nm급특정척촌,분단선성도호,정태공모겁저,약200 nW,구동부재공작능력강,수출전압가체궤백호복,역우대규모신경망락전로적실현급응용화집성도적진일보제고.
