光散射学报
光散射學報
광산사학보
CHINESE JOURNAL OF LIGHT SCATTERING
2009年
3期
241-245
,共5页
钟玉杰%程顺昌%苏平%龚敏%石瑞英%曹先存%史同飞
鐘玉傑%程順昌%囌平%龔敏%石瑞英%曹先存%史同飛
종옥걸%정순창%소평%공민%석서영%조선존%사동비
GaMnAs缺陷%红外光谱%光电导
GaMnAs缺陷%紅外光譜%光電導
GaMnAs결함%홍외광보%광전도
提高GaMnAs材料中Mn的含量可以提高其居里温度,但随之而来也会引入很多缺陷.为了研究高含量Mn引入的缺陷对稀磁半导体材料的影响,本文对低温分子束外延技术(LT-MBE)生长的GaMnAs外延层进行了光电导以及红外等光谱的分析.通过对样品的光谱分析,发现样品中存在大量的As反位缺陷(AsGs)、Mn的间隙位缺陷(Mn1)、以及在生长和退火过程中产生的Mn以及MnAs团簇等缺陷,这些缺陷都会影响外延层的光谱特性,同时也会影响器件的电学性能.
提高GaMnAs材料中Mn的含量可以提高其居裏溫度,但隨之而來也會引入很多缺陷.為瞭研究高含量Mn引入的缺陷對稀磁半導體材料的影響,本文對低溫分子束外延技術(LT-MBE)生長的GaMnAs外延層進行瞭光電導以及紅外等光譜的分析.通過對樣品的光譜分析,髮現樣品中存在大量的As反位缺陷(AsGs)、Mn的間隙位缺陷(Mn1)、以及在生長和退火過程中產生的Mn以及MnAs糰簇等缺陷,這些缺陷都會影響外延層的光譜特性,同時也會影響器件的電學性能.
제고GaMnAs재료중Mn적함량가이제고기거리온도,단수지이래야회인입흔다결함.위료연구고함량Mn인입적결함대희자반도체재료적영향,본문대저온분자속외연기술(LT-MBE)생장적GaMnAs외연층진행료광전도이급홍외등광보적분석.통과대양품적광보분석,발현양품중존재대량적As반위결함(AsGs)、Mn적간극위결함(Mn1)、이급재생장화퇴화과정중산생적Mn이급MnAs단족등결함,저사결함도회영향외연층적광보특성,동시야회영향기건적전학성능.
