半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
11期
1071-1074
,共4页
李晖%刘玉岭%刘效岩%刘海晓%胡轶
李暉%劉玉嶺%劉效巖%劉海曉%鬍軼
리휘%류옥령%류효암%류해효%호질
抛光液%化学机械抛光%PB实验%响应曲面法%去除速率
拋光液%化學機械拋光%PB實驗%響應麯麵法%去除速率
포광액%화학궤계포광%PB실험%향응곡면법%거제속솔
在超大规模集成电路多层Cu布线CMP工艺中,抛光液是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要因素.采用Plackett-Burman(PB)筛选实验对抛光液成分(磨料、氧化剂、活性剂、螯合剂)进行显著性因素分析,得出磨料、FA/O螯合剂Ⅱ型和氧化剂为显著性因素,并采用响应曲面法对其进行优化并建立了模型,最终得到以去除速率为评价条件的综合最优抛光液配比,为Cu抛光液配比优化及对CMP的进一步发展提供了新的思路与途径.
在超大規模集成電路多層Cu佈線CMP工藝中,拋光液是決定拋光速率、拋光錶麵狀態和平坦化能力的重要因素.採用Plackett-Burman(PB)篩選實驗對拋光液成分(磨料、氧化劑、活性劑、螯閤劑)進行顯著性因素分析,得齣磨料、FA/O螯閤劑Ⅱ型和氧化劑為顯著性因素,併採用響應麯麵法對其進行優化併建立瞭模型,最終得到以去除速率為評價條件的綜閤最優拋光液配比,為Cu拋光液配比優化及對CMP的進一步髮展提供瞭新的思路與途徑.
재초대규모집성전로다층Cu포선CMP공예중,포광액시결정포광속솔、포광표면상태화평탄화능력적중요인소.채용Plackett-Burman(PB)사선실험대포광액성분(마료、양화제、활성제、오합제)진행현저성인소분석,득출마료、FA/O오합제Ⅱ형화양화제위현저성인소,병채용향응곡면법대기진행우화병건립료모형,최종득도이거제속솔위평개조건적종합최우포광액배비,위Cu포광액배비우화급대CMP적진일보발전제공료신적사로여도경.
