半导体激光器腔面增透膜AIN薄膜的制备
반도체격광기강면증투막AIN박막적제비
Deposition of AlN Film for AR Coating of Semiconductor Lasers
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2011年 12期 1292-1296 ,共5页

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    增透膜%折射率%溅射%灾变性光学损伤 增透膜%摺射率%濺射%災變性光學損傷
    증투막%절사솔%천사%재변성광학손상
    提出了一种新的半导体激光器增透膜——A1N膜,并用matlab软件模拟分析了不同腔面反射率对激光器输出功率的影响,得到激光器最大输出功率时前后腔面的反射率的最佳值.采用反应磁控溅射技术,利用高纯铝靶(99.999％)和N2+ Ar的混合气体在K9玻璃基片上沉积了AlN薄膜.利用Filmetrics系统对薄膜进行光学性能测试,分析了不同工艺参数对薄膜沉积速率和折射率的影响.将最优条件下制得的AlN单层增透膜用于半导体激光器上,光学灾变损伤阈值和器件输出功率都得到了很大的提高.
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