杭州电子科技大学学报
杭州電子科技大學學報
항주전자과기대학학보
JOURNAL OF HANGZHOU DIANZI UNIVERSITY
2011年
5期
17-20
,共4页
洪慧%朱忠英%陈科明%孙玲玲
洪慧%硃忠英%陳科明%孫玲玲
홍혜%주충영%진과명%손령령
低压差分信号%发送器%共模反馈
低壓差分信號%髮送器%共模反饋
저압차분신호%발송기%공모반궤
该文设计了一种基于0.13μ m CMOS工艺的高速LVDS发送器.通过增加有效的共模反馈电路来抑制开关噪声,同时LVDS输出具有更小的过充电压和更稳定的共模输出电平,使该发送器能在更高的工作频率下运作.该发送器电路采用标准0.13μm CMOS工艺进行设计,版图面积为130μm × 90μm.仿真结果表明,该LVDS发送器能在最大2.5Gb/s传输速率下正常工作,同时动态功耗只有30.5mw.
該文設計瞭一種基于0.13μ m CMOS工藝的高速LVDS髮送器.通過增加有效的共模反饋電路來抑製開關譟聲,同時LVDS輸齣具有更小的過充電壓和更穩定的共模輸齣電平,使該髮送器能在更高的工作頻率下運作.該髮送器電路採用標準0.13μm CMOS工藝進行設計,版圖麵積為130μm × 90μm.倣真結果錶明,該LVDS髮送器能在最大2.5Gb/s傳輸速率下正常工作,同時動態功耗隻有30.5mw.
해문설계료일충기우0.13μ m CMOS공예적고속LVDS발송기.통과증가유효적공모반궤전로래억제개관조성,동시LVDS수출구유경소적과충전압화경은정적공모수출전평,사해발송기능재경고적공작빈솔하운작.해발송기전로채용표준0.13μm CMOS공예진행설계,판도면적위130μm × 90μm.방진결과표명,해LVDS발송기능재최대2.5Gb/s전수속솔하정상공작,동시동태공모지유30.5mw.
