淮阴师范学院学报(自然科学版)
淮陰師範學院學報(自然科學版)
회음사범학원학보(자연과학판)
JOURNAL OF HUAIYIN TEACHERS COLLEGE (NATURAL SCIENCE EDIITON)
2003年
1期
24-27
,共4页
陈贵宾%姚伟国%吴雪梅%王少伟%陆卫%沈学础
陳貴賓%姚偉國%吳雪梅%王少偉%陸衛%瀋學礎
진귀빈%요위국%오설매%왕소위%륙위%침학출
半导体纳米颗粒%磁控共溅射%光电子能谱%复合薄膜
半導體納米顆粒%磁控共濺射%光電子能譜%複閤薄膜
반도체납미과립%자공공천사%광전자능보%복합박막
采用射频磁控共溅射技术成功制备GaAs半导体纳米颗粒镶嵌薄膜,GaAs在薄膜中所占分子百分比达19.0%.光电子能谱分析表明随着基片温度升高,薄膜中元素Ga、As的被氧化程度有所增强,但元素Ga、As仍主要以化合物半导体GaAs的形式,元素Si、O主要以SiO2分子的形式存在于复合薄膜中.
採用射頻磁控共濺射技術成功製備GaAs半導體納米顆粒鑲嵌薄膜,GaAs在薄膜中所佔分子百分比達19.0%.光電子能譜分析錶明隨著基片溫度升高,薄膜中元素Ga、As的被氧化程度有所增彊,但元素Ga、As仍主要以化閤物半導體GaAs的形式,元素Si、O主要以SiO2分子的形式存在于複閤薄膜中.
채용사빈자공공천사기술성공제비GaAs반도체납미과립양감박막,GaAs재박막중소점분자백분비체19.0%.광전자능보분석표명수착기편온도승고,박막중원소Ga、As적피양화정도유소증강,단원소Ga、As잉주요이화합물반도체GaAs적형식,원소Si、O주요이SiO2분자적형식존재우복합박막중.
