在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN
재복합츤저γ-Al2O3/Si(001)상생장GaN
Growth of GaN on γ-Al2O3/Si(001) Composite Substrates
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 12期 2378-2384 ,共7页

    刘喆%王军喜%李晋闽%刘宏新%王启元%王俊%张南红%肖红领%王晓亮%曾一平

    류철%왕군희%리진민%류굉신%왕계원%왕준%장남홍%초홍령%왕효량%증일평

    GaN%MBE%γ-Al2O3%缓冲层 GaN%MBE%γ-Al2O3%緩遲層
    GaN%MBE%γ-Al2O3%완충층
    采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γ-Al2O3材料作为新型过渡层,在Si(∞1)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γ-Al2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γ-Al2O3/Si(001)生长GaN情况,得到了六方相GaN单晶材料,实现了GaN c面生长.预铺薄层Al及高温AlN层可以提高GaN晶体质量,低温AlN缓冲层可以改善GaN表面的粗糙度.为解决Si(001)衬底上GaN的生长问题提供了有益的探索.
    채용분자속외연(MBE)생장방법,사용γ-Al2O3재료작위신형과도층,재Si(∞1)츤저상획득료몰유렬문적GaN외연층,실험결과표명사용γ-Al2O3과도층유효지완해료외연층중적응력.통과생장병측시분석궤충불동결구적외연재료,연구료복합츤저γ-Al2O3/Si(001)생장GaN정황,득도료륙방상GaN단정재료,실현료GaN c면생장.예포박층Al급고온AlN층가이제고GaN정체질량,저온AlN완충층가이개선GaN표면적조조도.위해결Si(001)츤저상GaN적생장문제제공료유익적탐색.
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