核技术
覈技術
핵기술
NUCLEAR TECHNIQUES
2008年
1期
10-14
,共5页
江炳尧%冯涛%任琮欣%柳襄怀
江炳堯%馮濤%任琮訢%柳襄懷
강병요%풍도%임종흔%류양부
离子束辅助沉积%Cu、Ag、Pt薄膜%择优取向
離子束輔助沉積%Cu、Ag、Pt薄膜%擇優取嚮
리자속보조침적%Cu、Ag、Pt박막%택우취향
采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)衬底上分别沉积Cu、Ag、Pt薄膜.实验发现,若辅助轰击的Ar离子束沿衬底法线方向入射,当离子/原子到达比为0.2时,沉积的Cu膜呈(111)晶向,而Ag、Pt膜均呈(111)和(100)混合晶向.当辅助轰击的Ar离子束偏离衬底法线方向45°入射时,沉积的Cu、Ag、Pt膜均呈(111)择优取向.采用Monte Carlo方法模拟能量为500 eV的Ar离子入射单晶Ag所引起的原子级联碰撞过程,分别算得Ar离子入射单晶Ag(100)面、(111)面时,Ar离子的溅射率与入射角和方位角的关系.对离子注入的沟道效应和薄膜表面的自由能对薄膜择优取向的影响作了初步的探讨和分析.
採用低能Ar離子束輔助沉積方法,在Mo/Si(100)襯底上分彆沉積Cu、Ag、Pt薄膜.實驗髮現,若輔助轟擊的Ar離子束沿襯底法線方嚮入射,噹離子/原子到達比為0.2時,沉積的Cu膜呈(111)晶嚮,而Ag、Pt膜均呈(111)和(100)混閤晶嚮.噹輔助轟擊的Ar離子束偏離襯底法線方嚮45°入射時,沉積的Cu、Ag、Pt膜均呈(111)擇優取嚮.採用Monte Carlo方法模擬能量為500 eV的Ar離子入射單晶Ag所引起的原子級聯踫撞過程,分彆算得Ar離子入射單晶Ag(100)麵、(111)麵時,Ar離子的濺射率與入射角和方位角的關繫.對離子註入的溝道效應和薄膜錶麵的自由能對薄膜擇優取嚮的影響作瞭初步的探討和分析.
채용저능Ar리자속보조침적방법,재Mo/Si(100)츤저상분별침적Cu、Ag、Pt박막.실험발현,약보조굉격적Ar리자속연츤저법선방향입사,당리자/원자도체비위0.2시,침적적Cu막정(111)정향,이Ag、Pt막균정(111)화(100)혼합정향.당보조굉격적Ar리자속편리츤저법선방향45°입사시,침적적Cu、Ag、Pt막균정(111)택우취향.채용Monte Carlo방법모의능량위500 eV적Ar리자입사단정Ag소인기적원자급련팽당과정,분별산득Ar리자입사단정Ag(100)면、(111)면시,Ar리자적천사솔여입사각화방위각적관계.대리자주입적구도효응화박막표면적자유능대박막택우취향적영향작료초보적탐토화분석.
