高透腔面大功率650 nm红光半导体激光器
고투강면대공솔650 nm홍광반도체격광기
High Power 650 nm Red Semiconductor Laser with Transparent Window
  • 万方数据
    中国激光 중국격광
    CHINESE JOURNAL OF LASERS
    2007年 9期 1182-1184 ,共3页

    夏伟%马德营%王翎%李树强%汤庆敏%张新%刘琦%任忠祥%徐现刚

    하위%마덕영%왕령%리수강%탕경민%장신%류기%임충상%서현강

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    利用石英闭管法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长的应变量子阱(MQW)650 nm AlGaInP/GaInP材料进行选择区域扩Zn,使扩Zn区域的光致发光(PL)谱的峰值蓝移达175 meV,形成对650 nm波长激光器的高透腔面,有益于减少激光器腔面光吸收,增加了激光器退化的光学灾变损伤(COD)阈值.后工艺制作出条宽100 μm,腔长1 mm的增益导引激光器,实现了红光半导体激光器的大功率输出.激光器阈值电流为382 mA,在2.28 A工作电流时达到光学灾变损伤阈值,最大连续输出光功率1.55 W,外微分量子效率达到0.82 W/A.
    이용석영폐관법대금속유궤화학기상침적(MOCVD)외연생장적응변양자정(MQW)650 nm AlGaInP/GaInP재료진행선택구역확Zn,사확Zn구역적광치발광(PL)보적봉치람이체175 meV,형성대650 nm파장격광기적고투강면,유익우감소격광기강면광흡수,증가료격광기퇴화적광학재변손상(COD)역치.후공예제작출조관100 μm,강장1 mm적증익도인격광기,실현료홍광반도체격광기적대공솔수출.격광기역치전류위382 mA,재2.28 A공작전류시체도광학재변손상역치,최대련속수출광공솔1.55 W,외미분양자효솔체도0.82 W/A.
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