华中科技大学学报（自然科学版）
華中科技大學學報（自然科學版）
화중과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY(NATURE SCIENCE)
2008年
2期
108-111
,共4页
开关电流%甲乙类电流%电荷注入误差%存储单元
開關電流%甲乙類電流%電荷註入誤差%存儲單元
개관전류%갑을류전류%전하주입오차%존저단원
针对电流存储单元电路中存在的电荷注入误差,提出一种新的注入误差消除方法,该方法能够消除由电荷注入效应引起的输入信号相关误差及直流偏置.设计了一种具有极低电荷注入误差的甲乙类开关电流存储单元电路.采用上华半导体有限公司(CSMC)的5 V,0.6 μm双层多晶双层金属互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺对存储单元进行设计.模拟结果表明:改进后的存储单元可工作在2.5～5 V电压条件下;在输入频率为500 kHz,幅度为50 Μa正弦电流,采样信号频率10 MHz条件下,输出电流的误差仅为未采用补偿方案的单元电路误差电流的0.212 %,同常用的伪MOS开关补偿方法相比,误差电流减小了85.5 %.
針對電流存儲單元電路中存在的電荷註入誤差,提齣一種新的註入誤差消除方法,該方法能夠消除由電荷註入效應引起的輸入信號相關誤差及直流偏置.設計瞭一種具有極低電荷註入誤差的甲乙類開關電流存儲單元電路.採用上華半導體有限公司(CSMC)的5 V,0.6 μm雙層多晶雙層金屬互補型金屬氧化物半導體(CMOS)工藝對存儲單元進行設計.模擬結果錶明:改進後的存儲單元可工作在2.5～5 V電壓條件下;在輸入頻率為500 kHz,幅度為50 Μa正絃電流,採樣信號頻率10 MHz條件下,輸齣電流的誤差僅為未採用補償方案的單元電路誤差電流的0.212 %,同常用的偽MOS開關補償方法相比,誤差電流減小瞭85.5 %.
침대전류존저단원전로중존재적전하주입오차,제출일충신적주입오차소제방법,해방법능구소제유전하주입효응인기적수입신호상관오차급직류편치.설계료일충구유겁저전하주입오차적갑을류개관전류존저단원전로.채용상화반도체유한공사(CSMC)적5 V,0.6 μm쌍층다정쌍층금속호보형금속양화물반도체(CMOS)공예대존저단원진행설계.모의결과표명:개진후적존저단원가공작재2.5～5 V전압조건하;재수입빈솔위500 kHz,폭도위50 Μa정현전류,채양신호빈솔10 MHz조건하,수출전류적오차부위미채용보상방안적단원전로오차전류적0.212 %,동상용적위MOS개관보상방법상비,오차전류감소료85.5 %.
