人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
1期
207-212
,共6页
彭鑫鑫%左然%于海群%陈景升
彭鑫鑫%左然%于海群%陳景升
팽흠흠%좌연%우해군%진경승
MOCVD%GaN 生长%热壁反应器%数值模拟
MOCVD%GaN 生長%熱壁反應器%數值模擬
MOCVD%GaN 생장%열벽반응기%수치모의
本文提出一种多反应腔并联的水平热壁 MOCVD 反应器,反应器上下(左右)壁面都采用高温,减少了热泳力的排斥作用,提高了衬底上方的 TMG 浓度.由于取消了传统反应器的冷壁,减少了寄生产物的凝结,提高了反应前体的利用率和 GaN 的生长速率.可以多个反应腔并联生长,从而实现反应器的扩容.针对这种热壁式反应器,结合 GaN 的 MOCVD 生长进行了二维数值模拟,计算了不同流速、高度、长度和压力时反应器内流场、温场、浓度场分布以及生长速率,发现存在一个最佳的气体流速、反应器高度和长度条件,在此条件下,反应前体的产生与沉积达到平衡,从而有效抵消反应前体的沿程损耗,实现均匀的 GaN 生长.
本文提齣一種多反應腔併聯的水平熱壁 MOCVD 反應器,反應器上下(左右)壁麵都採用高溫,減少瞭熱泳力的排斥作用,提高瞭襯底上方的 TMG 濃度.由于取消瞭傳統反應器的冷壁,減少瞭寄生產物的凝結,提高瞭反應前體的利用率和 GaN 的生長速率.可以多箇反應腔併聯生長,從而實現反應器的擴容.針對這種熱壁式反應器,結閤 GaN 的 MOCVD 生長進行瞭二維數值模擬,計算瞭不同流速、高度、長度和壓力時反應器內流場、溫場、濃度場分佈以及生長速率,髮現存在一箇最佳的氣體流速、反應器高度和長度條件,在此條件下,反應前體的產生與沉積達到平衡,從而有效牴消反應前體的沿程損耗,實現均勻的 GaN 生長.
본문제출일충다반응강병련적수평열벽 MOCVD 반응기,반응기상하(좌우)벽면도채용고온,감소료열영력적배척작용,제고료츤저상방적 TMG 농도.유우취소료전통반응기적랭벽,감소료기생산물적응결,제고료반응전체적이용솔화 GaN 적생장속솔.가이다개반응강병련생장,종이실현반응기적확용.침대저충열벽식반응기,결합 GaN 적 MOCVD 생장진행료이유수치모의,계산료불동류속、고도、장도화압력시반응기내류장、온장、농도장분포이급생장속솔,발현존재일개최가적기체류속、반응기고도화장도조건,재차조건하,반응전체적산생여침적체도평형,종이유효저소반응전체적연정손모,실현균균적 GaN 생장.
