半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
10期
743-746
,共4页
蔡道民%李献杰%赵永林%刘跳%高向芝%郝跃
蔡道民%李獻傑%趙永林%劉跳%高嚮芝%郝躍
채도민%리헌걸%조영림%류도%고향지%학약
双异质结双极晶体管(DHBT)%缓变层%发射极-基极自对准%空气桥%侧向腐蚀
雙異質結雙極晶體管(DHBT)%緩變層%髮射極-基極自對準%空氣橋%側嚮腐蝕
쌍이질결쌍겁정체관(DHBT)%완변층%발사겁-기겁자대준%공기교%측향부식
InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点.通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结电流阻塞效应；改进发射极-基极自对准工艺和集电区台面侧向腐蚀工艺,降低Rb和Cbc乘积；优化PI钝化工艺和空气桥互联等工艺,实现了发射极面积为2μm×10μm的自对准InP/InGaAs/InP DHBT器件,其直流增益β约为25,击穿电压BVCEO≥7 V@ 10 μA,在VCE =4V,Ic=10 mA下,截止频率fT=140 GHz,最高振荡频率fmax=200 GHz,优于同一外延片上的非自对准InP DHB器件,该器件将可应用于高速光通信和微波毫米波通信.
InP/InGaAs/InP DHBT具有頻帶寬、電流驅動能力彊、線性好、相位譟聲低和閾值電壓一緻性好等優點成為研究熱點.通過優化外延材料結構設計和採用四元InGaAsP緩變層消除集電結電流阻塞效應；改進髮射極-基極自對準工藝和集電區檯麵側嚮腐蝕工藝,降低Rb和Cbc乘積；優化PI鈍化工藝和空氣橋互聯等工藝,實現瞭髮射極麵積為2μm×10μm的自對準InP/InGaAs/InP DHBT器件,其直流增益β約為25,擊穿電壓BVCEO≥7 V@ 10 μA,在VCE =4V,Ic=10 mA下,截止頻率fT=140 GHz,最高振盪頻率fmax=200 GHz,優于同一外延片上的非自對準InP DHB器件,該器件將可應用于高速光通信和微波毫米波通信.
InP/InGaAs/InP DHBT구유빈대관、전류구동능력강、선성호、상위조성저화역치전압일치성호등우점성위연구열점.통과우화외연재료결구설계화채용사원InGaAsP완변층소제집전결전류조새효응；개진발사겁-기겁자대준공예화집전구태면측향부식공예,강저Rb화Cbc승적；우화PI둔화공예화공기교호련등공예,실현료발사겁면적위2μm×10μm적자대준InP/InGaAs/InP DHBT기건,기직류증익β약위25,격천전압BVCEO≥7 V@ 10 μA,재VCE =4V,Ic=10 mA하,절지빈솔fT=140 GHz,최고진탕빈솔fmax=200 GHz,우우동일외연편상적비자대준InP DHB기건,해기건장가응용우고속광통신화미파호미파통신.
