半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
9期
693-696
,共4页
赵志桓%姜维宾%韩希方%张礼%李惠军%李东华
趙誌桓%薑維賓%韓希方%張禮%李惠軍%李東華
조지환%강유빈%한희방%장례%리혜군%리동화
功率%优化%仿真%工艺参数%可制造性设计%验证
功率%優化%倣真%工藝參數%可製造性設計%驗證
공솔%우화%방진%공예삼수%가제조성설계%험증
依据垂直双扩散场效应晶体管(VDMOSFET)的结构设计及参数要求,使用新一代Sentaurus系列TCAD工具对分立器件VDMOSFET进行分析.通过此工具可以对VDMOSFET的工艺结构级和半导体器件物理特性级进行可制造性设计及验证.本工作重点分析了能够影响功率VDMOSFET导通电阻、阈值电压等各种因素及其之间的关系,对沟道区、p+区和n+源区掺杂浓度,以及注入后的退火温度和时间等工艺参数进行优化设置.结果表明,通过使用Sentaurus系列TCAD工具对VDMOSFET器件进行模拟与分析所得出的参数能够达到IR公司的IRF140的设计水平.
依據垂直雙擴散場效應晶體管(VDMOSFET)的結構設計及參數要求,使用新一代Sentaurus繫列TCAD工具對分立器件VDMOSFET進行分析.通過此工具可以對VDMOSFET的工藝結構級和半導體器件物理特性級進行可製造性設計及驗證.本工作重點分析瞭能夠影響功率VDMOSFET導通電阻、閾值電壓等各種因素及其之間的關繫,對溝道區、p+區和n+源區摻雜濃度,以及註入後的退火溫度和時間等工藝參數進行優化設置.結果錶明,通過使用Sentaurus繫列TCAD工具對VDMOSFET器件進行模擬與分析所得齣的參數能夠達到IR公司的IRF140的設計水平.
의거수직쌍확산장효응정체관(VDMOSFET)적결구설계급삼수요구,사용신일대Sentaurus계렬TCAD공구대분립기건VDMOSFET진행분석.통과차공구가이대VDMOSFET적공예결구급화반도체기건물리특성급진행가제조성설계급험증.본공작중점분석료능구영향공솔VDMOSFET도통전조、역치전압등각충인소급기지간적관계,대구도구、p+구화n+원구참잡농도,이급주입후적퇴화온도화시간등공예삼수진행우화설치.결과표명,통과사용Sentaurus계렬TCAD공구대VDMOSFET기건진행모의여분석소득출적삼수능구체도IR공사적IRF140적설계수평.
