人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
1期
130-135
,共6页
朱华%刘辉文%况慧芸%冯晓炜
硃華%劉輝文%況慧蕓%馮曉煒
주화%류휘문%황혜예%풍효위
ZnO薄膜%透过率%磁控溅射
ZnO薄膜%透過率%磁控濺射
ZnO박막%투과솔%자공천사
采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底生长ZnO及ZnO∶ Al薄膜,通过改变氩氧比、衬底温度和溅射功率获得样品.用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、扫描电子显微镜进行表征.结果发现:室温下40W的溅射功率1h的溅射时间,改变氩氧比获得样品.XRD图谱中无明显衍射峰出现；紫外可见光分光光度计测试结果显示400nm波长以下,透光率在90％以上.说明薄膜生长呈无定形.衬底温度高于200℃样品,XRD有明显(002)衍射峰出现,在400～ 800 nm波长范围,透光率在88％以上,衬底温度300℃时,XRD衍射峰半高宽最小,晶粒尺寸大.TEM显示:衬底300℃晶粒尺寸最大,晶体发育好.在200℃掺铝ZnO薄膜,(002)峰不明显,有(101)峰出现.
採用射頻磁控濺射技術在玻璃襯底生長ZnO及ZnO∶ Al薄膜,通過改變氬氧比、襯底溫度和濺射功率穫得樣品.用X射線衍射儀、紫外-可見分光光度計、掃描電子顯微鏡進行錶徵.結果髮現:室溫下40W的濺射功率1h的濺射時間,改變氬氧比穫得樣品.XRD圖譜中無明顯衍射峰齣現；紫外可見光分光光度計測試結果顯示400nm波長以下,透光率在90％以上.說明薄膜生長呈無定形.襯底溫度高于200℃樣品,XRD有明顯(002)衍射峰齣現,在400～ 800 nm波長範圍,透光率在88％以上,襯底溫度300℃時,XRD衍射峰半高寬最小,晶粒呎吋大.TEM顯示:襯底300℃晶粒呎吋最大,晶體髮育好.在200℃摻鋁ZnO薄膜,(002)峰不明顯,有(101)峰齣現.
채용사빈자공천사기술재파리츤저생장ZnO급ZnO∶ Al박막,통과개변아양비、츤저온도화천사공솔획득양품.용X사선연사의、자외-가견분광광도계、소묘전자현미경진행표정.결과발현:실온하40W적천사공솔1h적천사시간,개변아양비획득양품.XRD도보중무명현연사봉출현；자외가견광분광광도계측시결과현시400nm파장이하,투광솔재90％이상.설명박막생장정무정형.츤저온도고우200℃양품,XRD유명현(002)연사봉출현,재400～ 800 nm파장범위,투광솔재88％이상,츤저온도300℃시,XRD연사봉반고관최소,정립척촌대.TEM현시:츤저300℃정립척촌최대,정체발육호.재200℃참려ZnO박막,(002)봉불명현,유(101)봉출현.
