北京师范大学学报(自然科学版)
北京師範大學學報(自然科學版)
북경사범대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF BEIJING NORMAL UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE)
2002年
4期
500-505
,共6页
点在阱中%电子结构%光致发光峰波长
點在阱中%電子結構%光緻髮光峰波長
점재정중%전자결구%광치발광봉파장
采用有效质量近似和绝热近似,计算了量子阱中InAs/In1-xGaxAs自组织量子点(点在阱中,DWELL)的电子结构和光学性质. 结果表明,电子能级随受限势的增大而升高,并随着量子点的尺寸的增大而降低,而且量子阱的宽度和量子点浸润层的厚度增加也会导致能级有所降低. 说明DWELL结构参数变化会使光致发光峰发生相应的蓝移或红移.
採用有效質量近似和絕熱近似,計算瞭量子阱中InAs/In1-xGaxAs自組織量子點(點在阱中,DWELL)的電子結構和光學性質. 結果錶明,電子能級隨受限勢的增大而升高,併隨著量子點的呎吋的增大而降低,而且量子阱的寬度和量子點浸潤層的厚度增加也會導緻能級有所降低. 說明DWELL結構參數變化會使光緻髮光峰髮生相應的藍移或紅移.
채용유효질량근사화절열근사,계산료양자정중InAs/In1-xGaxAs자조직양자점(점재정중,DWELL)적전자결구화광학성질. 결과표명,전자능급수수한세적증대이승고,병수착양자점적척촌적증대이강저,이차양자정적관도화양자점침윤층적후도증가야회도치능급유소강저. 설명DWELL결구삼수변화회사광치발광봉발생상응적람이혹홍이.
