半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
11期
1496-1499
,共4页
邵嘉平%郭文平%胡卉%郝智彪%孙长征%罗毅
邵嘉平%郭文平%鬍卉%郝智彪%孫長徵%囉毅
소가평%곽문평%호훼%학지표%손장정%라의
GaN%LED材料%蓝带发光
GaN%LED材料%藍帶髮光
GaN%LED재료%람대발광
分析比较了在不同外延生长条件下GaN基高In组分绿光LED材料室温和低温10K下光致发光谱中蓝带发光峰,研究了外延结构中p型层蓝带峰发光特性对材料晶体质量和器件电光转换效率的影响.结果表明:通过优化p型层的外延生长条件,可有效降低和消除其蓝带发光峰较之多量子阱主峰的相对强度,有利于提高LED器件特别是高In组分绿光LED器件在同等注入电流条件下的发光功率.
分析比較瞭在不同外延生長條件下GaN基高In組分綠光LED材料室溫和低溫10K下光緻髮光譜中藍帶髮光峰,研究瞭外延結構中p型層藍帶峰髮光特性對材料晶體質量和器件電光轉換效率的影響.結果錶明:通過優化p型層的外延生長條件,可有效降低和消除其藍帶髮光峰較之多量子阱主峰的相對彊度,有利于提高LED器件特彆是高In組分綠光LED器件在同等註入電流條件下的髮光功率.
분석비교료재불동외연생장조건하GaN기고In조분록광LED재료실온화저온10K하광치발광보중람대발광봉,연구료외연결구중p형층람대봉발광특성대재료정체질량화기건전광전환효솔적영향.결과표명:통과우화p형층적외연생장조건,가유효강저화소제기람대발광봉교지다양자정주봉적상대강도,유리우제고LED기건특별시고In조분록광LED기건재동등주입전류조건하적발광공솔.
