电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2007年
4期
1129-1132
,共4页
王文博%宋李梅%王晓慧%杜寰%孙贵鹏
王文博%宋李梅%王曉慧%杜寰%孫貴鵬
왕문박%송리매%왕효혜%두환%손귀붕
LDMOS%热载流子注入%可靠性
LDMOS%熱載流子註入%可靠性
LDMOS%열재류자주입%가고성
研究了一种N-LDMOS器件的热载流子注入效应,分析了热载流子效应产生的机理、对器件性能以及可靠性的影响,提出了改进方法.为了降低此器件的热载流子注入效应,我们利用华润上华公司提供的ISE软件对N-LDMOS高压工艺进行模拟,根据模拟结果调整了器件结构,通过增大器件的场板长度、漂移区长度以及增加N阱与有源区的交叠长度等措施,使得相同偏置条件下,表征热载流子注入强度的物理量--器件衬底电流降为改进前的1/10,显著改善了该器件的热载流子注入效应.
研究瞭一種N-LDMOS器件的熱載流子註入效應,分析瞭熱載流子效應產生的機理、對器件性能以及可靠性的影響,提齣瞭改進方法.為瞭降低此器件的熱載流子註入效應,我們利用華潤上華公司提供的ISE軟件對N-LDMOS高壓工藝進行模擬,根據模擬結果調整瞭器件結構,通過增大器件的場闆長度、漂移區長度以及增加N阱與有源區的交疊長度等措施,使得相同偏置條件下,錶徵熱載流子註入彊度的物理量--器件襯底電流降為改進前的1/10,顯著改善瞭該器件的熱載流子註入效應.
연구료일충N-LDMOS기건적열재류자주입효응,분석료열재류자효응산생적궤리、대기건성능이급가고성적영향,제출료개진방법.위료강저차기건적열재류자주입효응,아문이용화윤상화공사제공적ISE연건대N-LDMOS고압공예진행모의,근거모의결과조정료기건결구,통과증대기건적장판장도、표이구장도이급증가N정여유원구적교첩장도등조시,사득상동편치조건하,표정열재류자주입강도적물리량--기건츤저전류강위개진전적1/10,현저개선료해기건적열재류자주입효응.
