强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2009年
1期
118-122
,共5页
申林%田俊林%刘志国%熊胜明
申林%田俊林%劉誌國%熊勝明
신림%전준림%류지국%웅성명
薄膜%离子束辅助%反应沉积%偏转电压%HfO2%光学损耗
薄膜%離子束輔助%反應沉積%偏轉電壓%HfO2%光學損耗
박막%리자속보조%반응침적%편전전압%HfO2%광학손모
基于Leybold APS1104镀膜系统,采用离子束辅助反应沉积技术,以金属Hf粒为初始镀膜材料,APS源偏转电压为50～140 V范围内,在[100]单晶硅片和紫外石英(JGS1)基板上制备了HfO2单层膜.分别利用Lambda 900分光光度计、X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪以及原子力显微镜对HfO2薄膜的光谱性能、表面及纵向化学成分、晶相结构以及表面粗糙度进行了分析.结果表明:当APS源偏转电压在120～140 V及50～90 V两个范围内变化时,HfO2薄膜的紫外短波光学损耗随着偏转电压的降低而减小,而为110～90 V时紫外短波光学损耗对偏转电压的变化不敏感;偏转电压在50～140 V的范围内时,制备的HfO2薄膜表面及纵向化学成分无明显变化;当偏转电压为100 V时,HfO2薄膜晶粒尺寸及表面粗糙度分别达到最大值26.2 nm及5.79 nm,其后,随着偏转电压的降低,二者均逐渐减小.
基于Leybold APS1104鍍膜繫統,採用離子束輔助反應沉積技術,以金屬Hf粒為初始鍍膜材料,APS源偏轉電壓為50～140 V範圍內,在[100]單晶硅片和紫外石英(JGS1)基闆上製備瞭HfO2單層膜.分彆利用Lambda 900分光光度計、X射線光電子能譜儀、X射線衍射儀以及原子力顯微鏡對HfO2薄膜的光譜性能、錶麵及縱嚮化學成分、晶相結構以及錶麵粗糙度進行瞭分析.結果錶明:噹APS源偏轉電壓在120～140 V及50～90 V兩箇範圍內變化時,HfO2薄膜的紫外短波光學損耗隨著偏轉電壓的降低而減小,而為110～90 V時紫外短波光學損耗對偏轉電壓的變化不敏感;偏轉電壓在50～140 V的範圍內時,製備的HfO2薄膜錶麵及縱嚮化學成分無明顯變化;噹偏轉電壓為100 V時,HfO2薄膜晶粒呎吋及錶麵粗糙度分彆達到最大值26.2 nm及5.79 nm,其後,隨著偏轉電壓的降低,二者均逐漸減小.
기우Leybold APS1104도막계통,채용리자속보조반응침적기술,이금속Hf립위초시도막재료,APS원편전전압위50～140 V범위내,재[100]단정규편화자외석영(JGS1)기판상제비료HfO2단층막.분별이용Lambda 900분광광도계、X사선광전자능보의、X사선연사의이급원자력현미경대HfO2박막적광보성능、표면급종향화학성분、정상결구이급표면조조도진행료분석.결과표명:당APS원편전전압재120～140 V급50～90 V량개범위내변화시,HfO2박막적자외단파광학손모수착편전전압적강저이감소,이위110～90 V시자외단파광학손모대편전전압적변화불민감;편전전압재50～140 V적범위내시,제비적HfO2박막표면급종향화학성분무명현변화;당편전전압위100 V시,HfO2박막정립척촌급표면조조도분별체도최대치26.2 nm급5.79 nm,기후,수착편전전압적강저,이자균축점감소.
