电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2009年
2期
237-240
,共4页
彭冬生%冯玉春%郑瑞生%牛憨笨
彭鼕生%馮玉春%鄭瑞生%牛憨笨
팽동생%풍옥춘%정서생%우감분
GaN薄膜%性质%表面处理%MOCVD
GaN薄膜%性質%錶麵處理%MOCVD
GaN박막%성질%표면처리%MOCVD
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对GaN光学性质的影响.测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的GaN薄膜晶体质量及光学质量最优,x射线摇摆曲线中.其(0002)面及(10-12)面的半峰全宽分别降低至202.68 arcsec,300.24 arcsec.透射光谱中,其透射率最高,调制深度最大;光致发光谱的近带边发射峰强度最强,其半高全宽也降低到6.7 nm,几乎看不到任何黄光带.
在相同的腐蝕溫度下,通過控製對藍寶石襯底的化學腐蝕時間,以研究其對GaN光學性質的影響.測試結果錶明:對藍寶石襯底腐蝕50 min後,外延生長的GaN薄膜晶體質量及光學質量最優,x射線搖襬麯線中.其(0002)麵及(10-12)麵的半峰全寬分彆降低至202.68 arcsec,300.24 arcsec.透射光譜中,其透射率最高,調製深度最大;光緻髮光譜的近帶邊髮射峰彊度最彊,其半高全寬也降低到6.7 nm,幾乎看不到任何黃光帶.
재상동적부식온도하,통과공제대람보석츤저적화학부식시간,이연구기대GaN광학성질적영향.측시결과표명:대람보석츤저부식50 min후,외연생장적GaN박막정체질량급광학질량최우,x사선요파곡선중.기(0002)면급(10-12)면적반봉전관분별강저지202.68 arcsec,300.24 arcsec.투사광보중,기투사솔최고,조제심도최대;광치발광보적근대변발사봉강도최강,기반고전관야강저도6.7 nm,궤호간불도임하황광대.
