半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
10期
980-982
,共3页
碳化硅%微波%功率器件%氧化
碳化硅%微波%功率器件%氧化
탄화규%미파%공솔기건%양화
热氧化是碳化硅晶片工艺中一种常用的工艺,但基于硅工艺的氧化温度一般都相对较低,此温度下,碳化硅氧化缓慢,在很多情况下很难满足工艺需求.利用新设计的高温氧化设备对碳化硅晶片进行不同温度下的氧化实验.实验结果显示,高温下,碳化硅氧化速度加快,温度的增加对氧化速度影响极大,以1 200℃时的氧化速率为基准,1 250℃时的氧化速率是1 200℃时的1.5倍;1 300℃下的氧化速率能达到1 200℃的2倍;而在1 350 ℃时,氧化速度已经将近1 200 ℃时的3倍.
熱氧化是碳化硅晶片工藝中一種常用的工藝,但基于硅工藝的氧化溫度一般都相對較低,此溫度下,碳化硅氧化緩慢,在很多情況下很難滿足工藝需求.利用新設計的高溫氧化設備對碳化硅晶片進行不同溫度下的氧化實驗.實驗結果顯示,高溫下,碳化硅氧化速度加快,溫度的增加對氧化速度影響極大,以1 200℃時的氧化速率為基準,1 250℃時的氧化速率是1 200℃時的1.5倍;1 300℃下的氧化速率能達到1 200℃的2倍;而在1 350 ℃時,氧化速度已經將近1 200 ℃時的3倍.
열양화시탄화규정편공예중일충상용적공예,단기우규공예적양화온도일반도상대교저,차온도하,탄화규양화완만,재흔다정황하흔난만족공예수구.이용신설계적고온양화설비대탄화규정편진행불동온도하적양화실험.실험결과현시,고온하,탄화규양화속도가쾌,온도적증가대양화속도영향겁대,이1 200℃시적양화속솔위기준,1 250℃시적양화속솔시1 200℃시적1.5배;1 300℃하적양화속솔능체도1 200℃적2배;이재1 350 ℃시,양화속도이경장근1 200 ℃시적3배.
