计算机与应用化学
計算機與應用化學
계산궤여응용화학
COMPUTERS AND APPLIED CHEMISTRY
2014年
3期
293-297
,共5页
密度泛函%TEMPO%离子液体%存储器%电压
密度汎函%TEMPO%離子液體%存儲器%電壓
밀도범함%TEMPO%리자액체%존저기%전압
the density functional theory (DFT)%TEMPO%ionic liquid%memory device%voltage
采用密度泛函方法在(U)B3LYP/6-3 1+G(d,p)水平上对含咪唑与TEMPO单元的离子液体(TEMPO-I及其得失电子后的情况进行理论研究.通过设计氧化还原反应、利用吉布斯自由能变,计算了不同型体组成电对的电势数值,用以阐明型体结构与其属性的关系.结果表明:(1) TEMPO-IL得一个电子后的三线态Triplet-Ⅱ比单线态Singlet-Ⅱ稳定;(2) TEMPO-IL得一个电子的过程明显影响了味唑端的键长与自然电荷布居;继续得一个电子后,受到明显影响的是自由基端.另一方面,当TEMPO-IL失去一个电子时,仍然是自由基端发生明显变化;(3) TEMPO-IL的正电荷布居在C2上,而非人们通常认为的N3上;(4)计算得到的TEMPO-IL不同型体的氧化还原电对的电势数值分别为-5.51V、-0.32V、4.19V,利用电势数值可对实验中存储装置测得的写电压(-6V)、读电压(-1V)、擦电压(5V)进行合理解释,这些计算结果表明存储装置的读、擦、写电压与TEMPO-IL得失电子的型体结构变化有直接关系.这些计算结果可为开发新型存储材料提供有用的理论参考.
採用密度汎函方法在(U)B3LYP/6-3 1+G(d,p)水平上對含咪唑與TEMPO單元的離子液體(TEMPO-I及其得失電子後的情況進行理論研究.通過設計氧化還原反應、利用吉佈斯自由能變,計算瞭不同型體組成電對的電勢數值,用以闡明型體結構與其屬性的關繫.結果錶明:(1) TEMPO-IL得一箇電子後的三線態Triplet-Ⅱ比單線態Singlet-Ⅱ穩定;(2) TEMPO-IL得一箇電子的過程明顯影響瞭味唑耑的鍵長與自然電荷佈居;繼續得一箇電子後,受到明顯影響的是自由基耑.另一方麵,噹TEMPO-IL失去一箇電子時,仍然是自由基耑髮生明顯變化;(3) TEMPO-IL的正電荷佈居在C2上,而非人們通常認為的N3上;(4)計算得到的TEMPO-IL不同型體的氧化還原電對的電勢數值分彆為-5.51V、-0.32V、4.19V,利用電勢數值可對實驗中存儲裝置測得的寫電壓(-6V)、讀電壓(-1V)、抆電壓(5V)進行閤理解釋,這些計算結果錶明存儲裝置的讀、抆、寫電壓與TEMPO-IL得失電子的型體結構變化有直接關繫.這些計算結果可為開髮新型存儲材料提供有用的理論參攷.
채용밀도범함방법재(U)B3LYP/6-3 1+G(d,p)수평상대함미서여TEMPO단원적리자액체(TEMPO-I급기득실전자후적정황진행이론연구.통과설계양화환원반응、이용길포사자유능변,계산료불동형체조성전대적전세수치,용이천명형체결구여기속성적관계.결과표명:(1) TEMPO-IL득일개전자후적삼선태Triplet-Ⅱ비단선태Singlet-Ⅱ은정;(2) TEMPO-IL득일개전자적과정명현영향료미서단적건장여자연전하포거;계속득일개전자후,수도명현영향적시자유기단.령일방면,당TEMPO-IL실거일개전자시,잉연시자유기단발생명현변화;(3) TEMPO-IL적정전하포거재C2상,이비인문통상인위적N3상;(4)계산득도적TEMPO-IL불동형체적양화환원전대적전세수치분별위-5.51V、-0.32V、4.19V,이용전세수치가대실험중존저장치측득적사전압(-6V)、독전압(-1V)、찰전압(5V)진행합리해석,저사계산결과표명존저장치적독、찰、사전압여TEMPO-IL득실전자적형체결구변화유직접관계.저사계산결과가위개발신형존저재료제공유용적이론삼고.
