齐齐哈尔大学学报（自然科学版）
齊齊哈爾大學學報（自然科學版）
제제합이대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF QIQIHAR UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2013年
3期
28-31
,共4页
吴云飞%刘景林%韩海生%崔虹云%朱雪彤%侯宪春
吳雲飛%劉景林%韓海生%崔虹雲%硃雪彤%侯憲春
오운비%류경림%한해생%최홍운%주설동%후헌춘
低噪声放大器%噪声系数%驻波比%带内增益
低譟聲放大器%譟聲繫數%駐波比%帶內增益
저조성방대기%조성계수%주파비%대내증익
low noise amplifier%noise figure%VSWR%in band gain
采用单电源供电模式，设计了一个基于E-PHEMT晶体管ATF-33143的两级低噪声放大器。在本文中采用Agilent公司的ADS对电路进行了匹配并进行了优化，最后通过S参数仿真得到了低噪声放大器的各项参数，在1.805~1.880 GHz频率范围内噪声系数小于0.45 dB ，带内增益大于30 dB ，输入驻波比小于2.0 dB ，输出驻波比小于1.5 dB 。仿真结果表明，该设计满足性能指标要求。
採用單電源供電模式，設計瞭一箇基于E-PHEMT晶體管ATF-33143的兩級低譟聲放大器。在本文中採用Agilent公司的ADS對電路進行瞭匹配併進行瞭優化，最後通過S參數倣真得到瞭低譟聲放大器的各項參數，在1.805~1.880 GHz頻率範圍內譟聲繫數小于0.45 dB ，帶內增益大于30 dB ，輸入駐波比小于2.0 dB ，輸齣駐波比小于1.5 dB 。倣真結果錶明，該設計滿足性能指標要求。
채용단전원공전모식，설계료일개기우E-PHEMT정체관ATF-33143적량급저조성방대기。재본문중채용Agilent공사적ADS대전로진행료필배병진행료우화，최후통과S삼수방진득도료저조성방대기적각항삼수，재1.805~1.880 GHz빈솔범위내조성계수소우0.45 dB ，대내증익대우30 dB ，수입주파비소우2.0 dB ，수출주파비소우1.5 dB 。방진결과표명，해설계만족성능지표요구。
A low noise amplifier (LNA) design ,which configures a series of two stage cascaded E-PHEMT transistor (ATF-33143) is introduced. The LNA used a single supply source. The matching circuits is optimized with the Agilent’s ADS. At last, through the simulation of S-parameters, the LNA show operating bandwidth with 1.805~1.880GHz, the noise figure less than 0.45dB , the gain more than 30dB in the band,the input VSWR less than 2.0 dB,the output VSWR less than 1.5dB.The simulation show that the design of LNA meets the requirements.
