电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2013年
7期
35-37
,共3页
深沟槽工艺%晶片周边硅针缺陷%倒梯形工艺%负光阻工艺
深溝槽工藝%晶片週邊硅針缺陷%倒梯形工藝%負光阻工藝
심구조공예%정편주변규침결함%도제형공예%부광조공예
deep trench process%wafer edge silicon grass defect%inverted trapezoid process%negative resist process
在功率金属氧化物半导体器件生产中，有些为了达到特殊的器件性能，采用深沟槽工艺，其沟槽深度可达几十微米，该类产品在关键的深沟槽刻蚀中，晶片边缘经常会有硅针缺陷产生，该缺陷在后续湿法清洗过程中，会成为颗粒的主要来源，影响晶片良率和污染湿法清洗机台。文章阐述了两种通过优化沟槽光刻工艺来解决此种缺陷的方法，一种为沟槽层光刻采用倒梯形工艺，另一种为沟槽层光刻采用负光阻工艺，两种方法旨在将晶片周边保护起来，在深沟槽刻蚀中下层材质不被损伤，解决深沟槽工艺产品周边硅针缺陷问题。
在功率金屬氧化物半導體器件生產中，有些為瞭達到特殊的器件性能，採用深溝槽工藝，其溝槽深度可達幾十微米，該類產品在關鍵的深溝槽刻蝕中，晶片邊緣經常會有硅針缺陷產生，該缺陷在後續濕法清洗過程中，會成為顆粒的主要來源，影響晶片良率和汙染濕法清洗機檯。文章闡述瞭兩種通過優化溝槽光刻工藝來解決此種缺陷的方法，一種為溝槽層光刻採用倒梯形工藝，另一種為溝槽層光刻採用負光阻工藝，兩種方法旨在將晶片週邊保護起來，在深溝槽刻蝕中下層材質不被損傷，解決深溝槽工藝產品週邊硅針缺陷問題。
재공솔금속양화물반도체기건생산중，유사위료체도특수적기건성능，채용심구조공예，기구조심도가체궤십미미，해류산품재관건적심구조각식중，정편변연경상회유규침결함산생，해결함재후속습법청세과정중，회성위과립적주요래원，영향정편량솔화오염습법청세궤태。문장천술료량충통과우화구조광각공예래해결차충결함적방법，일충위구조층광각채용도제형공예，령일충위구조층광각채용부광조공예，량충방법지재장정편주변보호기래，재심구조각식중하층재질불피손상，해결심구조공예산품주변규침결함문제。
In power MOS microelectronic device design and manufacture, deep trench process is used for some special request. The trench depth reaches to scores of micrometer, some often in deep trench etch step, wafer edge generates silicon grass defect. It becomes the major particle resource during the post wet clean steps, which impact line yield and contaminate wet tools. The thesis states two solutions for this defect by optimizing trench-photo process, one is inverted trapezoid process, another is negative resist process, both solutions in lithography are aimed at wafer edge protection, when in deep trench etch step to protect the underground material from being damaged, and results to solve the wafer edge silicon grass defect of deep trench process.
