压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2014年
2期
260-262,265
,共4页
脉冲激光沉积(PLD)%点缺陷%ZnO薄膜%ZnO单晶%Zn
脈遲激光沉積(PLD)%點缺陷%ZnO薄膜%ZnO單晶%Zn
맥충격광침적(PLD)%점결함%ZnO박막%ZnO단정%Zn
pulsed laser deposition (PLD)%point defects%ZnO thin film%ZnO single crystal%Zn
采用脉冲激光沉积(PLD)法在石英衬底上制备了ZnO薄膜.为研究ZnO薄膜内部主要点缺陷,我们用(002)ZnO单晶与ZnO薄膜作对比,并进行了霍尔测试、X线衍射(XRD)和光学透射谱等基本表征.霍尔测量得到的高的霍尔迁移率及XRD图表明,制备的ZnO薄膜结晶良好,具有沿c轴高度择优取向.同时,ZnO薄膜衍射峰相对于单晶向大角度方向发生了漂移.透射谱表明,ZnO薄膜在可见光区透过率为75％,吸收带边相对于单晶发生蓝移.各种表征手段证明PLD法制备的ZnO薄膜主要点缺陷为Zn填隙(Zni).
採用脈遲激光沉積(PLD)法在石英襯底上製備瞭ZnO薄膜.為研究ZnO薄膜內部主要點缺陷,我們用(002)ZnO單晶與ZnO薄膜作對比,併進行瞭霍爾測試、X線衍射(XRD)和光學透射譜等基本錶徵.霍爾測量得到的高的霍爾遷移率及XRD圖錶明,製備的ZnO薄膜結晶良好,具有沿c軸高度擇優取嚮.同時,ZnO薄膜衍射峰相對于單晶嚮大角度方嚮髮生瞭漂移.透射譜錶明,ZnO薄膜在可見光區透過率為75％,吸收帶邊相對于單晶髮生藍移.各種錶徵手段證明PLD法製備的ZnO薄膜主要點缺陷為Zn填隙(Zni).
채용맥충격광침적(PLD)법재석영츤저상제비료ZnO박막.위연구ZnO박막내부주요점결함,아문용(002)ZnO단정여ZnO박막작대비,병진행료곽이측시、X선연사(XRD)화광학투사보등기본표정.곽이측량득도적고적곽이천이솔급XRD도표명,제비적ZnO박막결정량호,구유연c축고도택우취향.동시,ZnO박막연사봉상대우단정향대각도방향발생료표이.투사보표명,ZnO박막재가견광구투과솔위75％,흡수대변상대우단정발생람이.각충표정수단증명PLD법제비적ZnO박막주요점결함위Zn전극(Zni).
