中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2014年
8期
64-69
,共6页
双态应力氮化硅薄膜%CMOS%开关特性%热载流子注入%负偏压温度不稳定性
雙態應力氮化硅薄膜%CMOS%開關特性%熱載流子註入%負偏壓溫度不穩定性
쌍태응력담화규박막%CMOS%개관특성%열재류자주입%부편압온도불은정성
本文采用优化的多循环离子体增强化学气相薄膜淀积工艺,在不影响器件的热载流子注入(hot-carrier Injection,HCI)和负偏压温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)的前提下,改善半导体器件的开关特性.我们以32nm多晶硅(polycrystalline-Si/SiON)栅极制造工艺生产的半导体器件为测试对象,其核心器件(Core Device)工作电压是1.0V,外围器件(I/0device)工作电压是2.5V.实验结果显示,对比原有的基础工艺(Base Line),优化的SiN薄膜淀积工艺可以使NMOS的开关特性提高2-5％.核心NMOS的HCI寿命增加一倍,核心PMOS NBTI、I/O NMOS HCI和I/O PMOS NBTI与基础工艺条件的结果比较没有明显的退化.
本文採用優化的多循環離子體增彊化學氣相薄膜澱積工藝,在不影響器件的熱載流子註入(hot-carrier Injection,HCI)和負偏壓溫度不穩定性(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)的前提下,改善半導體器件的開關特性.我們以32nm多晶硅(polycrystalline-Si/SiON)柵極製造工藝生產的半導體器件為測試對象,其覈心器件(Core Device)工作電壓是1.0V,外圍器件(I/0device)工作電壓是2.5V.實驗結果顯示,對比原有的基礎工藝(Base Line),優化的SiN薄膜澱積工藝可以使NMOS的開關特性提高2-5％.覈心NMOS的HCI壽命增加一倍,覈心PMOS NBTI、I/O NMOS HCI和I/O PMOS NBTI與基礎工藝條件的結果比較沒有明顯的退化.
본문채용우화적다순배리자체증강화학기상박막정적공예,재불영향기건적열재류자주입(hot-carrier Injection,HCI)화부편압온도불은정성(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)적전제하,개선반도체기건적개관특성.아문이32nm다정규(polycrystalline-Si/SiON)책겁제조공예생산적반도체기건위측시대상,기핵심기건(Core Device)공작전압시1.0V,외위기건(I/0device)공작전압시2.5V.실험결과현시,대비원유적기출공예(Base Line),우화적SiN박막정적공예가이사NMOS적개관특성제고2-5％.핵심NMOS적HCI수명증가일배,핵심PMOS NBTI、I/O NMOS HCI화I/O PMOS NBTI여기출공예조건적결과비교몰유명현적퇴화.
