科技创新导报
科技創新導報
과기창신도보
SCIENCE AND TECHNOLOGY CONSULTING HERALD
2013年
25期
87-89
,共3页
SiC%腐蚀%位错%缺陷表征
SiC%腐蝕%位錯%缺陷錶徵
SiC%부식%위착%결함표정
SiC%etching%dislocation%defect characterization
湿法腐蚀是缺陷表征的主要方法，腐蚀效果取决于腐蚀剂和腐蚀时间。然而碳化硅具有很强的化学稳定性，普通的腐蚀剂难以对SiC造成腐蚀，熔融的KOH可以很好地进行选择性腐蚀，因此位错选择性腐蚀的效果不仅受腐蚀时间的影响，还受腐蚀温度的影响。该文采用KOH作为腐蚀剂，通过改变腐蚀温度和时间研究腐蚀参数对SiC单晶材料中位错选择性腐蚀形貌的影响。结果表明，在温度为440°C和500°C时，改变腐蚀时间对位错选择性腐蚀形貌影响并不明显；而在腐蚀温度为470°C下，腐蚀形貌随时间变化出现三种不同特点，即10 min时欠腐蚀，20 min时过腐蚀，15 min时，可以得到理想的位错腐蚀形貌。
濕法腐蝕是缺陷錶徵的主要方法，腐蝕效果取決于腐蝕劑和腐蝕時間。然而碳化硅具有很彊的化學穩定性，普通的腐蝕劑難以對SiC造成腐蝕，鎔融的KOH可以很好地進行選擇性腐蝕，因此位錯選擇性腐蝕的效果不僅受腐蝕時間的影響，還受腐蝕溫度的影響。該文採用KOH作為腐蝕劑，通過改變腐蝕溫度和時間研究腐蝕參數對SiC單晶材料中位錯選擇性腐蝕形貌的影響。結果錶明，在溫度為440°C和500°C時，改變腐蝕時間對位錯選擇性腐蝕形貌影響併不明顯；而在腐蝕溫度為470°C下，腐蝕形貌隨時間變化齣現三種不同特點，即10 min時欠腐蝕，20 min時過腐蝕，15 min時，可以得到理想的位錯腐蝕形貌。
습법부식시결함표정적주요방법，부식효과취결우부식제화부식시간。연이탄화규구유흔강적화학은정성，보통적부식제난이대SiC조성부식，용융적KOH가이흔호지진행선택성부식，인차위착선택성부식적효과불부수부식시간적영향，환수부식온도적영향。해문채용KOH작위부식제，통과개변부식온도화시간연구부식삼수대SiC단정재료중위착선택성부식형모적영향。결과표명，재온도위440°C화500°C시，개변부식시간대위착선택성부식형모영향병불명현；이재부식온도위470°C하，부식형모수시간변화출현삼충불동특점，즉10 min시흠부식，20 min시과부식，15 min시，가이득도이상적위착부식형모。
Wet etching process is the main defect characterization methods.The etching effect depends on the etchant and etching time.SiC is difficult to be etching by ordinary etchant because of the strong chemical bond,but it is easy be etched with the molten KOH,so the effect of etching is related to not only etching time,but also etching temperature.In this paper,effects of etching parameters on dislocation etching morphology of SiC single-crystal materials are presented.The result shows that the effect is not obvious by changing etching time from 10 min to 20 min at 440℃ and 500℃ respectively,but is obvious at 470℃. At 470°C,the etching morphology have three different characteristics,they are under etching (10min),ideal etching (15min) and over etching (20 min).
