发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
7期
918-923
,共6页
郭伟玲%俞鑫%刘建朋%樊星%白俊雪
郭偉玲%俞鑫%劉建朋%樊星%白俊雪
곽위령%유흠%류건붕%번성%백준설
LED%电流阻挡层%光功率%光效
LED%電流阻擋層%光功率%光效
LED%전류조당층%광공솔%광효
LED%CBL%light-output power%luminous efficiency
研究对比了InGaN/GaN多量子阱发光二极管中p电极下的不同SiO2电流阻挡层的光电特性.6种样品被分为3组:普通表面、表面粗化、表面粗化+边墙腐蚀.每组都有两种结构,一种具有电流阻挡层,另一种没有电流阻挡层.每组中,具有电流阻挡层的LED在20 mA下的正向电压分别为3.156,3.282,3.284 V,略高于不含电流阻挡层的样品(Vf=3.105,3.205,3.210 V).但是,具有电流阻挡层的LED的光效和光功率要优于无电流阻挡层的器件,在20 mA下的光功率分别提高了10.20％、12.19％和11.49％.这些性能的提升都要归功于电流阻挡层良好的电流扩展效应,同时电流阻挡层还可以减小p电极下的寄生光吸收.
研究對比瞭InGaN/GaN多量子阱髮光二極管中p電極下的不同SiO2電流阻擋層的光電特性.6種樣品被分為3組:普通錶麵、錶麵粗化、錶麵粗化+邊牆腐蝕.每組都有兩種結構,一種具有電流阻擋層,另一種沒有電流阻擋層.每組中,具有電流阻擋層的LED在20 mA下的正嚮電壓分彆為3.156,3.282,3.284 V,略高于不含電流阻擋層的樣品(Vf=3.105,3.205,3.210 V).但是,具有電流阻擋層的LED的光效和光功率要優于無電流阻擋層的器件,在20 mA下的光功率分彆提高瞭10.20％、12.19％和11.49％.這些性能的提升都要歸功于電流阻擋層良好的電流擴展效應,同時電流阻擋層還可以減小p電極下的寄生光吸收.
연구대비료InGaN/GaN다양자정발광이겁관중p전겁하적불동SiO2전류조당층적광전특성.6충양품피분위3조:보통표면、표면조화、표면조화+변장부식.매조도유량충결구,일충구유전류조당층,령일충몰유전류조당층.매조중,구유전류조당층적LED재20 mA하적정향전압분별위3.156,3.282,3.284 V,략고우불함전류조당층적양품(Vf=3.105,3.205,3.210 V).단시,구유전류조당층적LED적광효화광공솔요우우무전류조당층적기건,재20 mA하적광공솔분별제고료10.20％、12.19％화11.49％.저사성능적제승도요귀공우전류조당층량호적전류확전효응,동시전류조당층환가이감소p전겁하적기생광흡수.
