发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
7期
894-899
,共6页
李其扬%刘丽炜%胡思怡%张凤东%王玥%苗馨卉%谭勇%张喜和
李其颺%劉麗煒%鬍思怡%張鳳東%王玥%苗馨卉%譚勇%張喜和
리기양%류려위%호사이%장봉동%왕모%묘형훼%담용%장희화
光纤光学%量子点%红移%光谱分析%增益
光纖光學%量子點%紅移%光譜分析%增益
광섬광학%양자점%홍이%광보분석%증익
fiber optics%quantum dots%red shift%spectroscopic analysis%gain
采用油相法合成了CdSe/ CdS/ZnS量子点,相对于CdSe量子点,其吸收光谱、发射光谱均发生了红移.利用COMSOL Muhiphysics软件模拟CdSe/CdS/ZnS量子点光纤和甲苯光纤的电场分布,结果表明CdSe/CdS/ZnS量子点光纤的电场强度高于甲苯光纤.采用中心波长为532 nm的稳态半导体激光器作为光源,对甲苯光纤、CdSe/ZnS量子点光纤、CdSe/CdS/ZnS量子点光纤进行电压信号测试,发现CdSe/ZnS量子点光纤和CdSe/ CdS/ZnS量子点光纤的电压信号值相对于甲苯光纡电压信号值分别增强了6.28 mV和18.43 mV,表明双壳型量子点光纤的增益高于单壳型量子点.
採用油相法閤成瞭CdSe/ CdS/ZnS量子點,相對于CdSe量子點,其吸收光譜、髮射光譜均髮生瞭紅移.利用COMSOL Muhiphysics軟件模擬CdSe/CdS/ZnS量子點光纖和甲苯光纖的電場分佈,結果錶明CdSe/CdS/ZnS量子點光纖的電場彊度高于甲苯光纖.採用中心波長為532 nm的穩態半導體激光器作為光源,對甲苯光纖、CdSe/ZnS量子點光纖、CdSe/CdS/ZnS量子點光纖進行電壓信號測試,髮現CdSe/ZnS量子點光纖和CdSe/ CdS/ZnS量子點光纖的電壓信號值相對于甲苯光紆電壓信號值分彆增彊瞭6.28 mV和18.43 mV,錶明雙殼型量子點光纖的增益高于單殼型量子點.
채용유상법합성료CdSe/ CdS/ZnS양자점,상대우CdSe양자점,기흡수광보、발사광보균발생료홍이.이용COMSOL Muhiphysics연건모의CdSe/CdS/ZnS양자점광섬화갑분광섬적전장분포,결과표명CdSe/CdS/ZnS양자점광섬적전장강도고우갑분광섬.채용중심파장위532 nm적은태반도체격광기작위광원,대갑분광섬、CdSe/ZnS양자점광섬、CdSe/CdS/ZnS양자점광섬진행전압신호측시,발현CdSe/ZnS양자점광섬화CdSe/ CdS/ZnS양자점광섬적전압신호치상대우갑분광우전압신호치분별증강료6.28 mV화18.43 mV,표명쌍각형양자점광섬적증익고우단각형양자점.
