发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
7期
888-893
,共6页
陈义鹏%辛传祯%罗程远%王丽师%葛林%张晓松%徐建萍%李岚
陳義鵬%辛傳禎%囉程遠%王麗師%葛林%張曉鬆%徐建萍%李嵐
진의붕%신전정%라정원%왕려사%갈림%장효송%서건평%리람
近红外发光二极管%空穴注入层%空穴传输层%8-羟基喹啉钕
近紅外髮光二極管%空穴註入層%空穴傳輸層%8-羥基喹啉釹
근홍외발광이겁관%공혈주입층%공혈전수층%8-간기규람녀
near-infrared light emitting diode%hole injection layer%hole transport layer%neodymium tris-(8-hydroxyquinoline)
以PEDOT∶ PSS作为空穴注入层,聚合物PVK作为空穴传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶ PSS/PVK/8-羟基喹啉钕(Ndq3)/Al的近红外OLED,研究了PVK与PEDOT∶ PSS功能层对器件Ⅰ-Ⅴ特性和EL光谱的影响.结果显示,在EL光谱中的905,1 064,1 340 nm处均观察到了荧光发射,分别对应于Nd3+的4 F3/2→4I9/2、4F3/2→4I11/2和4F3/2 →4I13/2能级跃迁.与参考器件对比分析认为,PEDOT∶ PSS高的导电性降低了器件的串联电阻,增大了器件的工作电流；PVK与PEDOT∶ PSS共同降低了空穴的注入势垒,实现了Ndq3发光层区域的载流子的注入平衡并改善了器件的发射强度.此外,PVK有效降低了ITO电极表面粗糙度,也是器件性能提高的原因之一.
以PEDOT∶ PSS作為空穴註入層,聚閤物PVK作為空穴傳輸層,製備瞭結構為ITO/PEDOT∶ PSS/PVK/8-羥基喹啉釹(Ndq3)/Al的近紅外OLED,研究瞭PVK與PEDOT∶ PSS功能層對器件Ⅰ-Ⅴ特性和EL光譜的影響.結果顯示,在EL光譜中的905,1 064,1 340 nm處均觀察到瞭熒光髮射,分彆對應于Nd3+的4 F3/2→4I9/2、4F3/2→4I11/2和4F3/2 →4I13/2能級躍遷.與參攷器件對比分析認為,PEDOT∶ PSS高的導電性降低瞭器件的串聯電阻,增大瞭器件的工作電流；PVK與PEDOT∶ PSS共同降低瞭空穴的註入勢壘,實現瞭Ndq3髮光層區域的載流子的註入平衡併改善瞭器件的髮射彊度.此外,PVK有效降低瞭ITO電極錶麵粗糙度,也是器件性能提高的原因之一.
이PEDOT∶ PSS작위공혈주입층,취합물PVK작위공혈전수층,제비료결구위ITO/PEDOT∶ PSS/PVK/8-간기규람녀(Ndq3)/Al적근홍외OLED,연구료PVK여PEDOT∶ PSS공능층대기건Ⅰ-Ⅴ특성화EL광보적영향.결과현시,재EL광보중적905,1 064,1 340 nm처균관찰도료형광발사,분별대응우Nd3+적4 F3/2→4I9/2、4F3/2→4I11/2화4F3/2 →4I13/2능급약천.여삼고기건대비분석인위,PEDOT∶ PSS고적도전성강저료기건적천련전조,증대료기건적공작전류；PVK여PEDOT∶ PSS공동강저료공혈적주입세루,실현료Ndq3발광층구역적재류자적주입평형병개선료기건적발사강도.차외,PVK유효강저료ITO전겁표면조조도,야시기건성능제고적원인지일.
